四川美阔推出：65W-1A2C接口氮化镓（GaN)PD快充电源方案
发布时间：2023-4-7 09:35
发布者：liao775a
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65W快充是目前快充市场出货的主流规格；氮化镓具有高可靠性，能够承受短时间过压；将GaN用于充电器的整流管后，能降低开关损耗和驱动损耗，提升开关频率，附带地降低废热的产生，进而减小元器件的体积同时能提高效率。 
近期美阔电子推出了一款全新的氮化镓65W（1A2C）PD快充充电器方案，该方案采用同系列控制单晶片：QR一次侧控制IC驱动MTCD-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次侧同步整流控制IC及PD3.0协议IC)可达到适优匹配。 1A2C-65W氮化镓（GaN）快充方案，快充方案支持90~264V宽输入电压，输出支持5V/3A，9V/3A，12V/3A，15V/3A，20V/3.25A，内置MGZ31N65-650V氮化镓开关管；采用PD3.0协议IC。 该方案能够有效降低寄生参数对高频开关的影响，获得更高的转换效率和更优秀的可靠性；实现“更高效率，更大功率，更小体积，更低发热。”采用了智能温控技术做到了“大功率下更小体积、更好温控”支持多种充电模式，对不同的设备功率略有不同，USB-C接口实际较大输出功率为65W。 一、方案概述： 尺寸设计：60mm*60mm*30mm 输出规格：5V/3A, 9V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A 输入电压：90-264 Vac @ 60/50Hz 输出接口：USB-PD C型式,A型式 低待机功耗：空载损耗低于50mW 高效率：输出20V重载时可达91.62%效率及功率密度可达1.5W/cm3 供电范围：二次侧同步整流控制IC及PD3.0协议IC 二、优势： 返驰式谷底侦测减少开关损失 轻载Burst Mode增加效率 较佳效能可达91% 空载损耗低于50mW 控制IC可支持频率高达160 kHz 系统频率有Jitter降低EMI干扰 控制IC可直接驱动GaN 进阶保护功能如下： (1) VDD过电压及欠电压保护 (2) 导通时较大峰值电流保护 (3) 输出过电压保护 (4) 输出短路保护 可输出65W功率 
GaN/氮化镓 - MGZ31N65的特性：650V, 6.5A, RDS (on)(typ.)= 250mΩ@VGS = 8V；非常低的QRR；减少交叉损失；符合RoHS标准和无卤素要求的包装。支持2MHz开关频率，采用8*8mm QFN封装，节省面积。 MGZ31N65芯片内部集成650V耐压，250mΩ导阻的氮化镓开关管；内置驱动器以及复杂的逻辑控制电路;支持输出过压保护，支持变压器磁饱和保护，支持芯片供电过压保护，支持过载保护，支持输出电压过压保护，支持片内过热保护，支持电流取样电阻开路保护，具有低启动电流。 GaN/氮化镓作为第三代半导体材料经常被用在PD快充里面；氮化镓（GaN）拥有极高的稳定性，将GaN用于充电器的整流管后，能降低开关损耗和驱动损耗，提升开关频率，附带地降低废热的产生，进而减小元器件的体积同时能提高效率。 四川美阔在GaN/氮化镓领域颇有建树，技术以及产品方面已经很完善，如果想了解更多GaN/氮化镓的技术资料，欢迎致电联系：133 9280 5792(微信同号) 
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