3300V碳化硅MOS器件承受更高的击穿电压，有更低的电阻率，工作温度更高(SiC MOSFET)。

发布时间：2023-3-10 09:38 发布者：Eways-SiC

关键词：大功率脉冲功率源 , SiCMOS , 碳化硅MOS , 工业电源 , SiCMOS

3300V碳化硅MOS器件承受更高的击穿电压，有更低的电阻率，工作温度更高。

ASC20N3300MT4-PDF.pdf (846.96 KB) 更能胜任在特别需要更高耐压以及雪崩等级的工业领域的设计要求,对要求高频的应用更是不二选择,高频特性让电路中的磁性单元体积更小,重量更轻。反向恢复时间“零”特性让电路的开关损耗大幅度降低,加上更优异的热传导系数,让工程师在设计散热方面不再烦恼。最终让总体成本得到优化。

SIC

SIC

内阻

封装

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