芯片：MSP430F2132IRHBR，L6491DTR，TPS259824LNRGER，STL24N60M6（规格信息）

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芯片：MSP430F2132IRHBR，L6491DTR，TPS259824LNRGER，STL24N60M6（供应/求购）
深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）以下型号，有兴趣的朋友，欢迎随时联络我们！

MSP430F2132IRHBR - 微控制器 IC 16 位 16MHz 8KB（8K x 8 + 256B） 闪存 32-VQFN（5x5）
类型：嵌入式 - 微控制器
I/O 数：24
程序存储容量：8KB（8K x 8 + 256B）
程序存储器类型：闪存
RAM 大小：512 x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.8V ~ 3.6V
数据转换器：A/D 8x10b
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
封装/外壳：32-VQFN（5x5）

型号：L6491DTR
类型：电源管理（PMIC）栅极驱动器
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：1.45V，2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：4A，4A
输入类型：非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）：600 V
上升/下降时间（典型值）：15ns，15ns
工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

TPS259824LNRGER - 电流监控器 稳压器 15A 24-VQFN（4x4）
类型：电源管理（PMIC）电流调节/管理
功能：电流监控器
精度：±5%
电压 - 输入：2.7V ~ 24V
电流 - 输出：15A
工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：24-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：24-VQFN（4x4）

型号：STL24N60M6
类型：单 FET，MOSFET晶体管
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：209毫欧 @ 8.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250uA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：23 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：960 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）：109W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-PowerVDFN

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芯片：MSP430F2132IRHBR，L6491DTR，TPS259824LNRGER，STL24N60M6（供应/求购）
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