碳化硅MOS管电压650V-1200V-1700V-3300V,电流5A-150A 。

发布时间:2023-2-17 17:19    发布者:Eways-SiC
关键词: 碳化硅MOS , 新能源汽车 , 电机驱动 , 充电桩 , 风能逆变
SiCMOS管国产实现电压650V-3300V,电流5A-150A 。 碳化硅MOS耐压650V-1200V-1700V-3300V 国产.pdf (9.39 MB)       碳化硅MOS管-全碳SiC模块产品应用、驱动、系统方案2024(8).pdf (4.14 MB)   碳化硅(SiC)现在作为一种成熟的技术,在从瓦特到兆瓦功率范围的很多应用中改变了电力行业,覆盖工业、能源和汽车等众多领域。这主要是由于它比以前的硅(Si)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)的应用具有更多优势,包括更高的开关频率,更低的工作温度,更高的电流和电压容量,以及更低的损耗,进而可以实现更高的功率密度,可靠性和效率。得益于更低的温度和更小的磁性元件,热管理和电源组件现在尺寸更小,重量更轻,成本更低,从而降低了总 BOM 成本,同时也实现了更小的占用空间。

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Eways-SiC 发表于 2023-2-24 18:00:06
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Eways-SiC 发表于 2023-3-1 09:19:43
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Eways-SiC 发表于 2023-4-10 16:05:52
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Eways-SiC 发表于 2023-6-27 09:12:29
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Eways-SiC 发表于 2023-7-24 09:39:21
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Eways-SiC 发表于 2024-1-12 09:21:11
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Eways-SiC 发表于 2024-2-18 11:31:15
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Eways-SiC 发表于 2024-3-27 11:45:23
碳化硅MOS管-SiC MODULE产品技术应用简介https://pan.baidu.com/s/1YVCvtntZntvY2XDpC5uuFw提取码g4yd
国产碳化硅MOS电压650V-1200V-1700V-3300V,电流1A-150A
Eways-SiC 发表于 2024-10-23 11:56:32
碳化硅MOS驱动设计及SiC栅极驱动器示例 - 模拟电子技术 - 电子工程网  https://www.eechina.com/thread-838162-1-1.html
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