国产碳化硅(SiC Module）模块~全碳SiC模组

发布时间：2023-2-13 11:34 发布者：Eways-SiC

关键词：碳化硅模块 , SiCMOS , SiCMOS , SiCMOS , SiC模组 , 电机控制 , 充电桩 , SiCMOS

碳化硅(SiC）全碳SiC模块特性：

碳化硅MOS管-全SiC模块产品简介.pdf (2.85 MB) 全碳化硅（SiC）功率模块系列可为逆变器设计人员带来新的机会,助力实现前所未有的效率和功率密度。碳化硅（SiC）半导体用作开关时，支持更高的工作温度和开关频率，从而提升整体系统效率。全SiC MOS功率模块系列拥有不同的配置，如三电平全桥、半桥,具有卓越的栅极氧化可靠性及一流的开关和导通损耗。 SiC模块换向电感降低可以实现SiC MOSFET的全速开关。更高的开关速度可以转换成更高的开关频率，从而得到更小的磁性过滤器元件。同时可以降低开关损耗，提高系统效率。精密的材料和封装技术可以将芯片与散热片之间的热阻减至更小，从而实现更高的功率密度。

全SiC模块

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DCS12模块特点1.采用单面水冷+模封工艺，最高工作结温175℃；
2. 功率密度高，适用高温、高频应用，超低损耗；
3. 集成NTC温度传感器，易于系统集成。

Eways-SiC 发表于 2024-2-20 17:45:44

SiC MOSFET碳化硅半导体栅极驱动以及SiC栅极驱动器示例 - 模拟电子技术 - 电子工程网 https://www.eechina.com/thread-838162-1-1.html

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