LN2312LT1G 20V N-CH 增强型 MOSFET SOT23

Mindy—mjd

20V N-CH 增强型 MOSFET 场效应晶体管
型号：LN2312LT1G
漏源极电阻：0.041 Ω
阈值电压：0.4 V
漏源极电压(Vds)：20 V
连续漏极电流(Ids)：4.9A
封装：SOT-23


特征
先进的沟槽工艺技术
用于超低导通电阻的高密度电池设计
S- 汽车和其他需要的应用的前缀
独特的现场和控制变更要求；AEC-Q101
合格且具备 PPAP 能力
V DS = 20V
R DS（ON），Vgs @ 4.5V，Ids @ 5.0A =41mΩ
R DS（ON），Vgs @ 2.5V，Ids @ 4.5A = 47m

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