LCMXO3LF-4300C-5BG324C，LCMXO2-2000HC-4FTG256C嵌入式FPGA（现场可编程门阵列）
发布时间：2022-8-23 11:56
发布者：xingjijinhua
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LCMXO3LF-4300C-5BG324C：嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） 规格： LAB/CLB 数：540 逻辑元件/单元数：4320 总 RAM 位数：94208 I/O 数：279 电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V 安装类型：表面贴装型 工作温度：0°C ~ 85°C（TJ） 封装/外壳：324-LFBGA 供应商器件封装：324-CABGA（15x15） 基本产品编号：LCMXO3 特征： 【解决方案】 面向移动应用的最小尺寸、最低功率、高数据吞吐量的桥接解决方案 用于I/O管理和逻辑应用的优化尺寸、逻辑密度、I/O数量、I/O性能器件 高I/O逻辑、最低成本的I/O、高I/O设备，用于 I/O扩展应用 【灵活的结构】 逻辑密度范围从64到9.4k LUT4 高I/O与LUT之比，多达384个I/O引脚 【先进的封装】 0.4毫米间距：在非常小的WLCSP（2.5毫米×2.5毫米至3.8毫米×3.8毫米）中具有1千到4千的密度，有28到63个I/O 0.5毫米间距：640至9.4千LUT密度，采用6毫米×6毫米至10毫米×10毫米的BGA封装，最多可有281个I/O 0.8毫米间距：1千至9.4千密度，最多384个I/O BGA封装的I/O 【预先设计的源同步I/O】 I/O单元中的DDR寄存器 专用的传动逻辑 用于显示I/O的7:1齿轮 通用的DDR，DDRx2，DDRx4 【高性能、灵活的I/O缓冲器】 可编程的sysI/O™缓冲器支持广泛的接口。 LVCMOS 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2 LVTTL LVDS、总线LVDS、MLVDS、LVPECL MIPI D-PHY仿真 施密特触发器输入，高达 0.5 V 迟滞 是I/O桥接应用的理想选择 I/O支持热插拔 片上差分终端 可编程的上拉或下拉模式 【灵活的片上时钟】 八个主时钟 用于高速I/O接口的最多两个边缘时钟（仅顶部和底部）。 每个器件最多有两个模拟PLL，具有分数n频率合成功能 广泛的输入频率范围（7 MHz至 400 MHz）。 【非易失性，多时间编程】 瞬间启动 在微秒内开机 可选择使用外部SPI存储器进行双启动 单芯片、安全的解决方案 可通过JTAG、SPI或I2C进行编程 MachXO3L包括多时间可编程的NVCM MachXO3LF可重构闪存包括用于商业/工业器件的100,000次写入/擦除周期和用于汽车器件的10,000次写入/擦除周期 支持非易失性存储器的背景编程 【TransFR重新配置】 场内逻辑更新，同时I/O保持系统状态 状态 【增强的系统级支持】 片上硬化功能。SPI、I2C、定时器/计数器 用于商业/工业设备的5.5%精度的片上振荡器 用于系统跟踪的独特TraceID 单电源，工作范围扩大 IEEE标准1149.1边界扫描 符合IEEE 1532的系统内编程 【低成本迁移路径】 从基于闪存的MachXO3LF迁移到基于NVCM的MachXO3L 引脚兼容和等效定时 应用： 消费电子 计算和存储 无线通信 工业控制系统 汽车系统 LCMXO2-2000HC-4FTG256C：嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） 描述： LCMXO2-2000HC-4FTG256C的超低功耗、瞬时启动、非易失性PLD有六个器件，其密度范围从 256到6864个查找表（LUT）。除了基于LUT的低成本可编程逻辑，这些器件还具有以下特点 嵌入式块状RAM（EBR）、分布式RAM、用户闪存（UFM）、锁相环（PLL）、预先设计的源同步I/O支持、高级配置支持，包括双启动能力和 常用功能的加固版本，如SPI控制器、I2 C控制器和定时器/计数器。这些功能使这些器件可用于低成本、高容量的消费和系统应用。 属性： LAB/CLB 数：264 逻辑元件/单元数：2112 总 RAM 位数：75776 I/O 数：206 电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V 安装类型：表面贴装型 工作温度：0°C ~ 85°C（TJ） 封装/外壳：256-LBGA 供应商器件封装：256-FTBGA（17x17） 基本产品编号：LCMXO2-2000 特征： 1，灵活的逻辑架构： 六个器件具有256至6864个LUT4和18至334个I/O。 2，超低功率器件： 先进的65纳米低功率工艺 低至22微瓦的待机功率 可编程的低摆幅差分I/O 待机模式和其他省电选项 3，嵌入式和分布式存储器： 嵌入式和分布式存储器 高达240kbits的sysMEM™嵌入式块状RAM 高达54kbits的分布式RAM 专用的FIFO控制逻辑 4，片上用户Flash存储器： 高达256kbits的用户闪存 100,000次写入周期 可通过WISHBONE、SPI、I2C和JTAG接口访问 可作为软处理器PROM或Flash存储器使用 5，预先设计的源同步I/O I/O单元中的DDR寄存器 专用的齿轮逻辑 用于显示I/O的7:1齿轮化 通用的DDR、DDRX2、DDRX4 专用的DDR/DDR2/LPDDR内存，支持DQS 6，高性能、灵活的I/O缓冲器 可编程的sysIO™缓冲器支持广泛的接口范围 I/O支持热插拔 片上差分终端 可编程的上拉或下拉模式 7，灵活的片上时钟： 八个主时钟 多达两个边缘时钟，用于高速I/O和接口（仅顶部和底部）。 每个器件最多有两个模拟PLL，具有小数点频率合成功能 广泛的输入频率范围（7 MHz至400 MHz）。 8，非易失性，可无限重构。 瞬间启动--在微秒内开机 单芯片、安全的解决方案 可通过JTAG、SPI或I2C进行编程 支持非易失性存储器的后台编程 9，TransFR™重新配置： 在系统运行时进行场内逻辑更新 10，增强的系统级支持： 片上硬化功能。SPI，I2C，定时器/计数器 准确度为5.5%的片上振荡器 独特的TraceID用于系统跟踪 一次性可编程（OTP）模式 单电源，工作范围扩大 IEEE标准1149.1边界扫描 符合IEEE 1532标准的系统内编程 11，广泛的封装选择： TQFP, WLCSP, ucBGA, csBGA, caBGA, ftBGA, fpBGA, QFN封装选项 小尺寸封装选项：小至2.5 mm x 2.5 mm 支持密度迁移 先进的无卤素封装 星际金华，明佳达 供求 LCMXO3LF-4300C-5BG324C，LCMXO2-2000HC-4FTG256C嵌入式FPGA（现场可编程门阵列） |
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