(DIODES美台) DMP2160UFDBQ场效应管 封装U-DFN2020-6，双P沟道增强型MOSFET

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说明：
■ 这种MOSFET的设计使导通电阻（R-DS（on））最小化，同时保持了优越的开关性能，使其成为高效率电源管理应用的理想选择。

特征：
■低导通电阻
▲7000万Ω @V-GS=-4.5V
▲8500万Ω @V-GS=-2.5V
▲8600万Ω （典型）@V-GS=-1.8V
■低栅极阈值电压，最大-0.9V
■快速切换速度
■低输入/输出泄漏
■薄型，最大高度0.5mm
■完全无铅且完全符合RoHS（注1和2）
■无卤素和锑。“绿色”装置（注3）

■ 支持PPAP（注4）
■符合AEC-Q101高可靠性标准
■符合汽车标准的零件可在单独的数据表（DMP2160UFDBQ）中找到

应用: [ 负载开关] [ 电源管理功能] [ 便携式电源适配器] [ 高效电源理应用]

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