工业辅助电源IMBF170R1K0M1(IMBF170R1K0M1XTMA1)
发布时间：2022-8-16 11:16
发布者：Mindy—mjd
关键词：
IMBF170R1K0M1XTMA1 , MOSFET
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产品概述 IMBF170R1K0M1 1700V, 1000 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬电距离，针对反激式拓扑结构进行了优化，适用于众多电力应用场合下接入直流母线电压600 V至1000 V的辅助电源。 
参数：IMBF170R1K0M1XTMA1 （IMBF170R1K0M1） FET 类型：N 通道 技术：SiCFET（碳化硅） 漏源电压（Vdss）：1700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.2A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V，15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1000毫欧 @ 1A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 1.1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：5 nC @ 12 V Vgs（最大值）：+20V，-10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：275 pF @ 1000 V FET 功能：- 功率耗散（最大值）：68W（Tc） 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型：表面贴装型 供应商器件封装：PG-TO263-7-13 封装/外壳：TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA 基本产品编号：IMBF170 产品特点 革命性的半导体材料——碳化硅 优化用于反激式拓扑结构 12V/0V栅极-源极电压，兼容大多数反激式控制器 非常低的切换损失 基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V 完全可控制的dV/dt，用于EMI优化 降低系统复杂性 直接从反激式控制器驱动 提高效率和降低冷却工作量 实现更高频率 应用领域 储能系统 电动汽车快速充电 电源 工业电机驱动和控制 太阳能系统解决方案 （供求）工业辅助电源IMBF170R1K0M1(IMBF170R1K0M1XTMA1) 深圳市明佳达电子有限公司/深圳市星际金华实业有限公司 注：本文部分内容与图片来源于网络，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除！ |
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