IMBG120R220M1H（IMBG120R220M1HXTMA1）N通道 1200 V 13A晶体管
发布时间：2022-8-13 15:10
发布者：xingjijinhua
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IMBG120R220M1H（IMBG120R220M1HXTMA1）N通道 1200 V 13A晶体管 说明： 采用TO-263-7封装的1200 V CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET 是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封装的1200 V, 220 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。它采用改良版1200V SMD封装，将CoolSiC技术的低功耗特性与.XT互联技术相结合，可在电机驱动、充电模块以及工业电源等应用中实现最高效率和被动制冷。 规格： FET 类型：N 通道 技术：SiCFET（碳化硅） 漏源电压（Vdss）：1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13A（Tc） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：294 毫欧 @ 4A，18V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 1.6mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：9.4 nC @ 18 V Vgs（最大值）：+18V，-15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：312 pF @ 800 V FET 功能：标准 功率耗散（最大值）：83W（Tc） 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型：表面贴装型 供应商器件封装：PG-TO263-7-12 特征描述： 极低的开关损耗 短路能力：3 μs dV/dt完全可控 栅极阈值电压典型值：VGS(th) = 4.5 V 出色的抗寄生导通能力，能够实现0V关断 牢固的体二极管，可用于硬开关 .XT互联技术，实现一流的热性能 封装爬电距离和电气间隙 > 6.1 mm Sense引脚，优化了开关性能 优势： 提高效率 实现更高的工作频率 增加功率密度 减少冷却工作 降低系统复杂程度和成本 SMD封装，无需增设散热器，即可实现自然对流冷却，因此可直接集成到PCB中 应用领域： 不间断电源（UPS） 电动汽车快速充电 工业电机驱动和控制 太阳能系统解决方案 星际金华，明佳达 供求 IMBG120R220M1H（IMBG120R220M1HXTMA1）N通道 1200 V 13A晶体管！ |
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