功率器件分析仪可测项目和具体指标有哪些?

发布时间:2022-7-26 15:20    发布者:whpssins
关键词: 功率器件分析仪 , 半导体参数测试仪
IGBT测试难点:
1、由于IGBT是多端口器件,所以需要多个测量模块协同测试。
2、IGBT的漏电流越小越好,所以需要高精度的设备进行测试。
3、IGBT动态电流范围大,测试时需要量程范围广,且量程可以自动切换的模块进行测试。
4、由于IGBT工作在强电流下,自加热效应明显,脉冲测试可以减少自加热效应,所以MOSFET需要进行脉冲IV测试,用于评估期间的自加热特性。
5、MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容,且与其在高频应用有密切关系。所以IGBT的电容测试非常重要。
6、IGBT开关特性非常重要,需要进行双脉冲动态参数的测试。


功率器件分析仪特点和优势:
单台Z大3000V输出;
单台Z大1000A输出,可并联后Z大4000A;
10us的超快电流上升沿;
同步测量;
国标全指标的自动化测试;
背景图.jpg
技术指标
项目参数
集电极-发射极Z大电压.3000V
Z大电流1000A
精度0.10%
漏电流测试量程1uA~100mA
栅极-发射极Z大电压.300V
Z大电流1A(直流)/10A(脉冲)
精度0.10%
Z小电压分辨率30uV
Z小电流分辨率10pA

可测项目
集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces
集电极-发射极饱和电压Vce      sat
集电极电流Ic,集电极截止电流Ices
栅极漏电流Iges,栅极-发射极阈值电压Vge(th)
栅极电阻Rg
电容测量
I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等
                                                                                                              
普赛斯功率器件分析仪集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计,方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。

静态测试系统无电话_副本.jpg
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