IPT012N08N5,MOSFET N-CH 80V 晶体管

Mindy—mjd

描述：MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF

型号：IPT012N08N5

FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.2 毫欧 @ 150A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 280μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：223 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：17000 pF @ 40 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：375W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-HSOF-8-1
封装/外壳：8-PowerSFN




特征
高频开关和同步的理想选择。
优秀gatechargexRDS(on)product(FOM)
极低电阻RDS(on)
N通道，正常电平
100% 雪崩测试
无铅电镀；符合 RoHS 标准
符合 JEDEC1) 标准，适用于目标应用
符合IEC61249-2-21


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