25/30V双芯片不对称功率MOSFET SiZ300DT和SiZ910DT（Vishay）

发布时间：2011-11-14 10:14    发布者：eechina
关键词： 功率MOSFET
Vishay推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT，以扩充用于低电压DC/DC转换器应用的PowerPAIR家族双芯片不对称功率MOSFET。新器件扩大了该系列产品的电压和封装占位选项，使Vishay成为3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸规格产品的独家供应商。

采用PowerPAIR 3 x 3封装的30V SiZ300DT和采用PowerPAIR 6 x 5封装的SiZ910DT提供了新的占位面积选项，扩充了该系列产品。SiZ300DT定位在需要处理10A和以下电流的DC/DC应用，SiZ910DT适用于20A以上的应用。PowerPAIR 3 x 3的面积大约是PowerPAIR 6 x 5的1/3。

PMOS_SiZ300DT_PT03.jpg

采用PowerPAIR 6 x 3.7封装的三款新器件是业内首批产品，再加上此前推出的SiZ710DT，使这种尺寸规格器件的电压范围从20V扩展到30V。新的SiZ728DT是首款25V PowerPAIR 6 x 3.7器件，SiZ790DT是采用这种尺寸规格并提供一个板上肖特基二极管的首款器件。SiZ730DT是首个具有最低RDS(on)的30V PowerPAIR 6 x 3.7器件。

下表提供了所有五款新器件及SiZ710DT的详细性能规格。有关Vishay的PowerPAIR® MOSFET完整产品组合的信息，请访问http://www.vishay.com/mosfets/powerpair-package/。

  
器件编号

  		  
Ch

  		  
VDS (V)

  		  
VGS (V)

  		  
RDS(on) at

  
VGS =

  		  
Qg at VGS =

  		  
ID at TA =

  
  
10 V
  (W)

  		  
4.5 V
  (W)

  		  
10 V
  (nC)

  		  
4.5 V
  (nC)

  		  
25   °C
  (A)

  		  
70   °C
  (A)

  
  不对称双芯片N沟道

  
  PowerPAIR 3 x 3
  		  


  		  


  		  


  		  


  		  


  		  


  		  


  		  

  		  

  
  SiZ300DT
  		  
1

  		  
30

  		  
20

  		  
0.024

  		  
0.032

  		  
7.4

  		  
3.5

  		  
9.8

  		  
7.8

  
  
2

  		  
30

  		  
20

  		  
0.011

  		  
0.0165

  		  
14.2

  		  
6.8

  		  
14.9

  		  
11.9

  
  PowerPAIR 6 x 3.7
  		  


  		  


  		  


  		  


  		  


  		  


  		  


  		  


  		  


  
  SiZ710DT
  		  
1

  		  
20

  		  
20

  		  
0.0068

  		  
0.009

  		  
11.5

  		  
6.9

  		  
16

  		  
15

  
  
2

  		  
20

  		  
20

  		  
0.0033

  		  
0.0043

  		  
38

  		  
18.2

  		  
30

  		  
24

  
  SiZ728DT
  		  
1

  		  
25

  		  
20

  		  
0.0077

  		  
0.011

  		  
17

  		  
8.1

  		  
16

  		  
14.2

  
  
2

  		  
25

  		  
20

  		  
0.0035

  		  
0.0048

  		  
42.5

  		  
20.5

  		  
28.8

  		  
23

  
  SiZ730DT
  		  
1

  		  
30

  		  
20

  		  
0.0093

  		  
0.013

  		  
15.6

  		  
7.7

  		  
12.9

  		  
10.3

  
  
2

  		  
30

  		  
20

  		  
0.0039

  		  
0.0053

  		  
43

  		  
21.2

  		  
26.4

  		  
21.1

  
  PowerPAIR 6 x 5
  		  


  		  


  		  


  		  


  		  


  		  


  		  


  		  


  		  


  
  SiZ910DT
  		  
1

  		  
30

  		  
20

  		  
0.0058

  		  
0.0075

  		  
26

  		  
12.5

  		  
22

  		  
17

  
  
2

  		  
30

  		  
20

  		  
0.0030

  		  
0.0035

  		  
60

  		  
29

  		  
32

  		  
26

  
  不对称双芯片N沟道外加集成的肖特基二极管
  
  PowerPAIR 6 x 3.7
  		  


  		  


  		  


  		  


  		  


  		  


  		  


  		  


  		  


  
  SiZ790DT
  		  
1

  		  
30

  		  
20

  		  
0.0093

  		  
0.013

  		  
15.6

  		  
7.7

  		  
12.9

  		  
10.3

  
  
2

  		  
30

  		  
20

  		  
0.0047

  		  
0.0059

  		  
36

  		  
17

  		  
23.4

  		  
18.7

  


Vishay Siliconix PowerPAIR 家族中的各款器件将两个MOSFET以最优的方式组合在单片封装内，帮助简化高效同步降压单相和多相DC/DC转换器的设计。通过增大低边MOSFET的尺寸以实现更低的传导损耗，器件的不对称配置有效提高了性能表现。Vishay充分发挥TrenchFET Gen III技术和PowerPAIR的不对称特点，将低边MOSFET的最大导通电阻降至3mΩ，比同档的不对称器件降低了几乎50%。

PowerPAIR器件为设计者提供了两个封装在一起的MOSFET，能够简化PCB布线并减少寄生电感，从而帮助降低开关损耗并提高效率。

新的PowerPAIR器件将在各种电子产品中更有效地使用能源和空间，这些产品包括笔记本电脑和桌面电脑、服务器、游戏机、机顶盒、电视机和调制解调器。

新款PowerPAIR器件现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周到十四周。
本文地址：https://www.eechina.com/thread-79271-1-1.html     【打印本页】

本站部分文章为转载或网友发布，目的在于传递和分享信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责；文章版权归原作者及原出处所有，如涉及作品内容、版权和其它问题，我们将根据著作权人的要求，第一时间更正或删除。
高级模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

贸泽电子有奖问答视频，答对领10元微信红包

厂商推荐

  • Microchip视频专区
  • Dev Tool Bits——使用MPLAB® Discover浏览资源
  • Dev Tool Bits——使用条件软件断点宏来节省时间和空间
  • Dev Tool Bits——使用DVRT协议查看项目中的数据
  • Dev Tool Bits——使用MPLAB® Data Visualizer进行功率监视
  • 贸泽电子(Mouser)专区

相关视频

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表