Everspin具有高达400MB/s的读写速度xSPI MRAM

发布时间:2022-5-30 17:30    发布者:英尚微电子
关键词: Everspin , xSPI MRAM , MRAM , STT-MRAM
MRAM先驱Everspin Technologies其最新创新产品EMxxLX系列工业级xSPI STT-MRAM芯片,容量高达64Mb。

Everspin的新
xSPI MRAM产品系列基于扩展的串行外设接口,这是用于非易失性存储设备的最新JEDEC标准。它基于Everspin独特的工业STT MRAM技术。这些产品提供高性能、多I/O、SPI兼容性,并具有高速、低引脚数的SPI兼容总线接口,时钟频率高达200MHz。这些持久性内存MRAM设备在单个1.8V电源上运行,并通过八个I/O信号提供高达400MBps的读取和写入速度。可替代SPI NOR/NAND闪存方案的xSPI MRAM。关于更多产品相关资料及技术支持联系Everspin官方代理商英尚微电子

开启了通用存储器应用解决方案的新时代,取代了SRAM、BBSRAM、NVSRAM和NOR设备等产品,面向工业自动化、过程控制、仿真、汽车和运输、游戏以及更广泛的工业物联网市场。

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英尚微电子 发表于 2022-5-30 17:31:17
Everspin的新xSPI MRAM产品系列基于扩展的串行外设接口,这是用于非易失性存储设备的最新JEDEC标准。它基于Everspin独特的工业STT MRAM技术。这些产品提供高性能、多I/O、SPI兼容性,并具有高速、低引脚数的SPI兼容总线接口,时钟频率高达200MHz。
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