Everspin一级代理4Mb串口MRAM存储芯片-MR25H40CDF

发布时间:2022-3-18 15:59    发布者:英尚微电子
关键词: Everspin , MRAM , MR25H40CDF
Everspin科技有限公司是全球领先的设计, 制造嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和自旋转移扭矩 MRAM (STT-MRAM) 的生产商,自从Everspin第一款产品进入市场,由于MRAM可以保持数据持久性和完整性、低功耗等特性,在应用程序设计中起到了安全性至关重要的作用,应用在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场等, Everspin 科技公司为世界上 MRAM 用户建立了最强大、最迅速的基础。

MR25H40CDF是Everspin 旗下一款容量为4Mb的磁阻随机存取存储器 (MRAM)。位宽512K x 8。MR25H40CDF拥有35ns的读/写周期(无写入延迟),以及出色的耐读/写能力。数据保持期长达20年以上而不会丢失,并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护,以防止在非工作电压期间写入。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用,是理想的内存解决方案。

MR25H40CDF具有串行EEPROM 和串行闪存兼容的读/写时序,没有写延迟和无限的读/写耐久性。与其他串行存储器不同,MR25H40CDF系列的读取和写入都可以在内存中随机发生,写入之间没有延迟。

MR25H40CDF系列可在广泛的温度范围内提供高度可靠的数据存储。MR25H40 (40MHz) 提供工业级(-40℃至 +85℃)、扩展级(-40 至 105℃)和 AEC-Q100 1 级(-40℃ 至 +125℃)工作温度范围选项。采用 5 x 6mm、8引脚DFN封装。引脚排列与串行 SRAM、EEPROM、闪存和FeRAM产品兼容。用MRAM替代电池供电的SRAM解决方案,并消除了组装电池以及可靠性问题和不利因素。everspin代理英尚微电子支持提供样品测试及技术支持。

MR25H40系列
Density
Org.
Part Number
Pkg.
Voltage
Temp
MOQ / Tray
MOQ / T&R
4Mb
512Kx8
MR25H40CDC
8-DFN
3.3V
Industrial
1,140
4,000
4Mb
512Kx8
MR25H40CDF
8-DFN sf
3.3V
Industrial
1,140
4,000
4Mb
512Kx8
MR25H40MDF
8-DFN sf
3.3V
AEC-Q100 Grade 1
1,140
4,000
4Mb
512Kx8
MR25H40MDFR
8-DFN sf
3.3v
AEC-Q100 Grade 1
1140
4000
4Mb
512Kx8
MR25H40VDFR
8-DFN sf
3.3v
Extended
1140
4000
4Mb
512Kx8
MR25H40VDF
8-DFN sf
3.3v
Extended
1140
4000
4Mb
512Kx8
MR25H40CDFR
8-DFN sf
3.3v
Industrial
1140
4000
4Mb
512Kx8
MR25H40CDCR
8-DFN
3.3v
Industrial
1140
4000

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