三星3nm工厂即将动工 首发GAA工艺功耗直降50%

发布时间:2022-3-11 17:26    发布者:eechina
关键词: 3nm , 晶圆厂 , 三星
来源: 财联社  

据韩国媒体报道,三星已经准备在韩国平泽市的P3工厂开工建设3nm晶圆厂了,6、7月份动工,并及时导入设备。根据三星的说法,与7nm制造工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提高了约35%,纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。
本文地址:https://www.eechina.com/thread-785046-1-1.html     【打印本页】

本站部分文章为转载或网友发布,目的在于传递和分享信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责;文章版权归原作者及原出处所有,如涉及作品内容、版权和其它问题,我们将根据著作权人的要求,第一时间更正或删除。
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

厂商推荐

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表