东芝推出新款MOSFET栅极驱动IC,助力缩小设备尺寸

发布时间:2022-2-9 18:35    发布者:eechina
关键词: 栅极驱动 , TCK42xG , TCK421G
—TCK42xG系列支持外部N沟道MOSFET的背对背连接—

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出其面向20V电源线路的新款“TCK42xG系列”MOSFET栅极驱动IC中的首款产品---“TCK421G”。该系列器件专门用于控制外部N沟道MOSFET的栅极电压(基于输入电压),同时具备过压锁定功能。新产品于今日开始支持批量出货。

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通过与背对背连接的外部N沟道MOSFET相配合,TCK421G适用于配置具有反向电流阻断功能的电源多路复用器电路或负载开关电路。它内置电荷泵电路,支持2.7V至28V的宽输入电压范围,经过间歇操作,为外部MOSFET的栅极-源极电压提供稳定电压。这种方式允许大电流的切换。

TCK421G采用WCSP6G[1]封装,是行业最小的封装之一[2]。这便于TCK421G在可穿戴设备和智能手机等小型设备上实现高密度贴装,从而缩小上述设备的尺寸。

东芝将继续开发TCK42xG系列,并计划推出总共六款产品。TCK42xG系列的过压锁定将支持5V至24V的输入电压。可提供5.6V和10V两种类型的栅极输出电压,用于外部MOSFET中不同的栅源电压。过压锁定和栅极输出电压可以根据用户具体设备进行选择。

        应用:
-        可穿戴设备
-        智能手机
-        笔记本电脑、平板电脑
-        存储设备等

        新产品系列特性:
-        内置电荷泵电路,栅极-源极电压(5.6V、10V)取决于输入电压
-        过压锁定支持5V至24V
-        低输入关断电流:当VIN=5V,Ta=-40℃至85℃时,IQ(OFF)=0.5μA(最大值)

        主要规格:
器件型号
TCK421G
封装
名称
WCSP6G
尺寸(mm)
1.2×0.8(典型值)
厚度=0.35(最大值)
工作范围输入电压VIN(V)当Ta=-40℃至85℃时2.7至28
电气特性VIN UVLO阈值,Vout下降当Ta=-40℃至85℃时,VIN_UVLO最大值2.0/2.5
VIN_UVLO典型值/最大值(V)
VIN UVLO滞后0.2
VIN_UVhyst典型值(V)
VIN OVLO阈值,当Ta=-40℃至85℃时22.34/24.05
Vout下降
VIN_OVLO最小值/最大值(V)
VIN OVLO滞后0.12
VIN_OVhyst典型值(V)
输入静态电流当VIN=5V时140
(通态)[3]
IQ(ON)典型值(μA)当VIN=12V时185
待机电流(关断)当VIN=5V,Ta=-40℃至85℃时0.5
IQ(OFF)最大值(μA)当VIN=12V,Ta=-40℃至85℃时0.9
栅极驱动电压当VIN=2.7V时8/9.2/10
(VGATE1-VIN)当VIN=5V时2009/10/11
(VGATE2-VIN)当VIN=9V时2009/10/11
VGS最小值/典型值/最大值(V)当VIN=12V时2009/10/11
 当VIN=20V时2009/10/11
VGS导通时间当VIN=5V时,2.9
tON典型值(ms)CGATE1,2=4000pF
VGS关断时间VIN=5V,52
tOFF典型值(μs)当CGATE1,2=4000pF时
OVLO VGS关断时间当CGATE1,2=4000pF时34
tOVP典型值(μs)
库存查询与购买
在线购买
注:
[1] 1.2mm×0.8mm
[2] 在MOSFET栅极驱动IC中。截至2022年2月的东芝调查。
[3] 不含控制端电流(ICT)。

如需了解相关新产品的更多信息,请访问以下网址:
TCK421G
https://toshiba-semicon-storage. ... detail.TCK421G.html

TCK42xG系列
https://toshiba-semicon-storage. ... 616&p=50&i=1&sort=0,asc&cc=0d,1d,39d,31h,3d,22d,23d,24d,30d,25d,5d,6d,7d,40d,41d,26d,42d,8d,9d,10d,11d,12d,13d,14d,27d,28d,15d,17d,29d,32h,33h,34h,35h,36h,37h,38h&ci=TCK421G

如需了解相关新产品在线分销商网站的供货情况,请访问以下网址:
TCK421G
https://toshiba-semicon-storage. ... kcheck.TCK421G.html


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