东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块，助力实现尺寸更小，效率更高的工业设备
发布时间：2022-1-27 10:19
发布者：eechina
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者额定电压为1200V，额定漏极电流为600A；后者额定电压为1700V，额定漏极电流为400A。作为东芝首批具有上述额定电压的产品，它们与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成了1200V、1700V和3300V器件产品线。
这两种新模块在安装方式上兼容广泛使用的硅（Si）IGBT模块。两种新模块的低损耗特性满足了工业设备对提高效率、减小尺寸的需求，例如用于轨道车辆的转换器和逆变器以及可再生能源发电系统。 应用： - 用于轨道车辆的逆变器和转换器 - 可再生能源发电系统 - 电机控制设备 - 高频DC-DC转换器 特性： - 安装方式兼容Si IGBT模块 - 损耗低于Si IGBT模块 MG600Q2YMS3 VDS(on)sense＝0.9V（典型值）@ID＝600A，Tch＝25℃ Eon＝25mJ（典型值），Eoff＝28mJ（典型值）@VDS＝600V，ID＝600A，Tch＝150℃ MG400V2YMS3 VDS(on)sense＝0.8V（典型值）@ID＝400A，Tch＝25℃ Eon＝28mJ（典型值），Eoff＝27mJ（典型值）@VDS＝900V，ID＝400A，Tch＝150℃ - 内置NTC热敏电阻 主要规格： （除非另有说明，@Tc＝25℃）
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