铁电存储器常见问题解决方案
发布时间：2021-11-16 17:07
发布者：英尚微电子
|
FRAM（铁电RAM）是一种写入速度快的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器（如 EEPROM、闪存）相比，铁电存储器不需要用于数据保存的备用电池，具有更高的读/写耐久性、更快的写入速度和更低的功耗。铁电存储器是一种具有高读写耐久性和快速写入速度，功耗低等优点的高性能和高可靠性存储器。 本篇文章铁电存储器代理商英尚微电子介绍关于使用其他存储芯片的常见问题和解决方案。 状态：使用EEPROM 问题：由于写耐久性规范的限制，难以更频繁地记录数据 解决方案：使用FRAM保证10万亿读/写周期 状态：使用EEPROM 问题：有突发事故或断电写入数据丢失的风险 解决方案：使用具有快速写入功能的FRAM，以保护断电写入数据 状态：使用SRAM 问题：难以取出电池以保留数据 解决方案：使用FRAM作为非易失性存储器 总之，铁电存储器产品为客户带来了诸如减少开发负担、增强客户产品性能和降低成本等好处。 |
网友评论