源表iv测试LDO芯片电学特性
概述 LDO，全称为“Low Dropout Regulator”，是一种低压差线性稳压元器件。其工作原理为，使用在其饱和区域内运行的晶体管或场效应管（FET），从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。相比于传统的DC-DC变换器，LDO具有成本低，噪音低，静态电流小的特点，需要的外接元件也很少，因此,LDO广泛应用于需要稳压输出的场景。 （UTC78XX系列LDO封装以及内部电路示意图） （UTC7805 LDO电参数规格书） 源表，SMU(Source Measure Unit)电源/测量单元，“源”为电压源和电流源，“表”为测量表，“源表”即指一种可作为四象限的电压源或电流源提供精确的电压或电流，同时可同步测量电流值或电压值的测量仪表。普赛斯S系列高精度源表，集电压、电流输入输出及测量等多种功能于一体。产品最大输出电压达300V，最小测试电流量程低至100pA，支持四象限工作，因此,可广泛应用于LDO类芯片测试。 常用电性能参数测试 LDO常用的电性能参数测试，主要包括输出电压、输入输出电压差、线性调整率、负载调整率、静态电流等。由于LDO的测试需要分别采集输入与输出端的数据，因此一般情况下，测试系统至少需要配置2台SMU，并采用上位机软件(PssSMUTools)进行控制。（以下测试均参考UTC7805规格进行） （二线法连接示意图） （四线法连接示意图） 测试方案
| | | | 在上位机软件内，选择【晶体管】—>【MOS管测量】 | | | 根据实际测试需要，分别设置SMU的参数。比如【起始值】，【限值】，【扫描点数】等。其中，SMU 1的主要作用是，作为输入电压源，而SMU 2则作为电压表 | | | 点击运行图标“file:///C:/Users/86158/AppData/Local/Temp/yytmp1/2356843803/2f9950d9fa6f476cb1faa1c46d11f9ad.files/210615153435220.jpg”，即可启动测试 | | | 待测试完毕后，分别点击【表格】，【图形】，可查看相应的数据与图形 | |
| | | | 在上位机软件内，选择【晶体管】—>【MOS管测量】 | | | 根据实际测试需要，分别设置SMU的参数。比如【起始值】，【限值】，【扫描点数】等。其中，SMU 1的主要作用是，作为输入电压源，而SMU 2则作为电压表 | | | 点击运行图标“file:///C:/Users/86158/AppData/Local/Temp/yytmp1/2356843803/2f9950d9fa6f476cb1faa1c46d11f9ad.files/210615153435376.jpg”，即可启动测试 | | | 待测试完毕后，分别点击【表格】，【图形】，可查看相应的数据与图形 | |
ΔVoload负载调整率测试 ΔVoload负载调整率是输出端接不同负载，输出端电压的变化。由于源表可以直接当电子负载，所以可以直接让源表做负载。常用测试方法为，保持LDO输入端电压稳定不变，在LDO的输出端，加载不同的电流值，同时测量对应的输出端电压值，并计算输出端的电压变化值。此外，为降低测试中线材的干扰，该测试可采用4线连接法进行测量。（参考UTC7805规格书，ΔVoload值为4mV左右） 操作步骤
| | | | 在上位机软件内，选择【晶体管】—>【MOS管测量】 | | | 根据实际测试需要，分别设置SMU的参数。比如【起始值】，【限值】，【扫描点数】等。其中，SMU 1的主要作用是，作为稳定的输入源，而SMU 2则作为负载，同时测量负载两端的电压。 | | | 点击运行图标“file:///C:/Users/86158/AppData/Local/Temp/yytmp1/2356843803/2f9950d9fa6f476cb1faa1c46d11f9ad.files/210615153435509.jpg”，即可启动测试 | | | 待测试完毕后，分别点击【表格】，【图形】，可查看相应的数据与图形。根据测试需要，设置不同的输出电流参数，进行多次测试。 | |
| | | | | | | 根据实际测试需要，分别设置SMU的参数。比如【起始值】，【限值】，【扫描点数】等。 | | | 点击运行图标“file:///C:/Users/86158/AppData/Local/Temp/yytmp1/2356843803/2f9950d9fa6f476cb1faa1c46d11f9ad.files/210615153435663.jpg”，即可启动测试 | | | 待测试完毕后，分别点击【表格】，【图形】，可查看相应的数据与图形。 | |
|
网友评论