120万亿韩元建新厂,SK海力士要下一盘大棋?

发布时间:2021-3-31 10:41    发布者:eechina
关键词: SK海力士 , DRAM , NAND
来源:中国电子
SK海力士CEO李锡熙希望,未来10年内,SK海力士能够大规模量产采用10nm工艺的DRAM和600层堆叠的3D NAND。

最新消息显示,SK海力士将投资120万亿韩元(约合1060亿美元)用于新的半导体工厂部署。相关人士透露,韩国已经批准了当地芯片制造商SK海力士的建设新半导体工厂的项目,SK海力士的新半导体工厂将设在首尔以南50公里的龙仁。

产能爆满,SK海力士顺势扩产

高通缺“芯”,台积电缺水又没光刻胶, 三星关闭美国最大晶圆厂,全球半导体厂商交货延期开启“接力”模式,大众、丰田等汽车厂商因芯片缺货潮被迫停产……从汽车芯片到手机芯片,在全球芯片供应短缺的大背景下,近期存储芯片同样缺货严重。

一边是供不应求的产能,一边是日益高涨的市场“呼声”,即使是“加价不加量”,也极有可能拿不到DRAM芯片。为何DRAM需求如此吃紧?根据SK海力士方面预测,全球主要企业的新数据中心投资将引领服务器DRAM需求的增加。

此外,进入2021年以来,5G智能手机的出货量逐渐摆脱了去年新冠肺炎疫情的影响,一路“节节高升”。受巨大终端市场需求驱动,移动端DRAM需求亦水涨船高,造成业界供给增量有限、整体供给低于需求的局面。市场需求暴涨、供应严重吃紧,作为全球存储器市场的一大巨头,SK海力士的产能已经爆满,因此扩产可谓顺势而为、势在必行。

此前,SK海力士产业投资主席李丙德曾表示,公司正积极应对芯片供应紧张的局面,在积极满足市场需求的同时,将努力扩大战略性产品的比重。现在看来,耗巨资来建工厂似乎是“积极应对芯片供应紧张局面”的重要举措之一。

扩产背后,或有更大一盘局

除了建造新厂来扩大产能、满足日益增长的市场需求之外,李丙德口中的SK海力士似乎更为“深谋远虑”。记者注意到,日前李丙德有提到SK海力士将“努力扩大战略性产品的比重”。简单的扩产动作背后,SK海力士或将再下一盘更大的“棋局”。

李丙德的说法与SK海力士CEO李锡熙的讲话内容形成了呼应。在今日举行的IEEE国际可靠性物理研讨会(IRPS)上,李锡熙对SK海力士的核心业务——DRAM和NAND芯片进行了细致描摹。

目前,SK海力士最新的3D NAND是512Gb 176层堆叠的3D NAND,但3D NAND有没有可能用600层堆叠比起176层堆叠的3D NAND,600层似乎是对现有工艺和技术的极大挑战。但是,根据李锡熙分享的有关SK海力士的业务计划,600层堆叠的3D NAND并非完全空想。

李锡熙称,SK海力士已经开始了实现这种可能性的研发进程。DUV光刻技术存在局限性,而通过引入和积极使用EUV光刻技术,能够克服来自材料、结构、可靠性等方面的种种挑战,使制程工艺轻易达到10nm以下,以此提升生产效率。

李锡熙希望,未来10年内,SK海力士能够大规模量产采用10nm工艺的DRAM和600层堆叠的3D NAND。当然,愿望的实现从来都不是一蹴而就的。比如,为了保持单元电容,就需要改善电介质厚度,开发具有高介电常数的新材料,并采用新的单元结构。由于这些单元的互连需要尽可能低的电阻,SK海力士正在寻找新一代电极与绝缘材料,并且推出新的工艺。



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