瑞萨电子推出适用于工业与物联网应用的RA4M3 MCU产品群，扩展其Arm Cortex内核MCU产品家族
发布时间：2020-12-9 15:04
发布者：eechina
关键词：
RA4M3 , Cortex-M33
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运行速度最高100MHz，将Arm TrustZone技术与瑞萨电子增强型安全加密引擎相结合，可扩展存储并实现低功耗 瑞萨电子集团（TSE：6723）今日宣布，推出全新32位RA4M3微控制器（MCU）产品群，扩展其RA4 MCU产品家族。RA4M3 MCU采用基于Armv8-M架构的Arm Cortex-M33内核，将运行速度提升至100MHz。RA4M3产品群拥有高性能、Arm TrustZone技术、瑞萨安全加密引擎以及可扩展存储，便于开发安全可靠的物联网（IoT）边缘设备，适用于低功耗应用，如安全、计量、工业和暖通空调等。 
瑞萨电子物联网及基础设施事业本部高级副总裁Roger Wendelken表示：“自今年10月我们推出RA6M4 MCU产品群以来，我对于瑞萨RA产品家族的迅速扩展感到十分高兴。RA6M4的目标应用要求高性能和高安全性，而RA4M3产品群很好地平衡了性能与功耗，同时具备同等水准的安全功能。此外，根据工业与物联网应用不断创新的需求，客户可以灵活地扩展存储空间。” RA4M3产品群专为兼顾高性能、强大的安全性和更大存储空间的低功耗IoT应用而设计。新款MCU将TrustZone技术与瑞萨增强型安全加密引擎相结合，使客户能够在各种IoT设计中实现安全芯片的功能。安全加密引擎包含多个对称和非对称加密加速器、高级密钥管理、安全的产品生命周期管理、抵抗功耗分析攻击和篡改检测功能。 在闪存中运行CoreMark算法时，RA4M3 MCU的功耗低至119μA/MHz，在待机模式下功耗低至1.6mA，待机唤醒时间为30μs，这对于长时间在户外运行的IoT应用至关重要。对于内存密集型应用，设计人员可将Quad-SPI和SD卡接口与MCU的片内存储器相结合以增加存储容量。后台运行和闪存块交换（Flash Bank SWAP）功能非常适合在后台运行内存优化的固件更新程序。具有奇偶校验/ECC功能的大容量片内RAM也使RA4M3 MCU成为注重安全的应用的理想选择。RA4M3 MCU还具备多种集成功能以降低BOM成本，包括电容式触摸感应、高达1MB的片内闪存，以及模拟、通信和连接存储器的外围设备。 RA4M3产品群关键特性 基于40nm工艺，100MHz运行，采用Arm Cortex-M33内核及TrustZone技术 片内集成1MB闪存、128KB RAM、8KB数据闪存和1KB待机SRAM 低功耗，在运行模式下电流为119μA/MHz，待机时电流为1.6mA，唤醒时间30μs 闪存后台运行及闪存块交换功能 电容式触摸感应单元 多种接口，包括Quad-SPI和SDHI接口、SSI、全速USB2.0、SCI和SPI/I2C LQFP封装，涵盖64引脚到144引脚（也将提供LGA和BGA封装） 使用灵活配置软件包（FSP）的RA4M3产品群使客户可以复用其原有代码，并与Arm生态系统和RA生态系统合作伙伴的软件相结合，从而加速复杂连接功能和安全功能的开发。FSP包含FreeRTOS与中间件，为开发人员提供了设备连接到云端的优选功能，也可以用其他任何RTOS或中间件轻松替换和扩展这些开箱即用的功能。 FSP为使用RA4M3 MCU的开发项目提供了一系列高效的工具。e2 studio集成开发环境提供的开发平台，可以支持项目创建管理、选择与配置模块、代码开发、代码生成及调试等所有关键开发步骤。FSP通过GUI工具来简化开发流程并显著加速开发进程。 供货信息 RA4M3 MCU现可从瑞萨全球经销商处购买。更多信息，请访问：https://www.renesas.com/ra4m3。 |
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