集成铁电存储器MCU为物联网应用提供出色性能
发布时间：2020-11-11 16:36
发布者：宇芯电子
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集成铁电存储器的MCU，由于在MCU上集成了铁电存储器，该产品数据写入速度比基于闪存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它还可在所有的电源模式中提供数据保存功能、支持超过100万亿次的写入次数、并为开发人员提供了一个全新的灵活度（允许其通过软件变更来完成数据内存与程序内存的分区)。 铁电存储器相比SRAM、FLASH和EEPROM优点多多:非易失性，写入速度快，无限次写入,最关键是用一个铁电存储器可取代原MCU需配置的2~3个不同的存储器，统一的存储器架构使用户在成本和灵活性上获益。 这种集成铁电存储器的MCU是TI特别为物联网,特别是传感器网应用而研发。传感器网部署多在室外或野外，电源条件差,因此功耗要求苛刻,最好能一块电池支持设备整个生命周期,或能从外界采集能量。此外实时采集到的更多数据要求内存擦写次数更多，对flash的寿命是个挑战。而铁电读写速度比闪存提升100倍,而功耗节省250倍。 举个应用实例:国外超市为节省人工成本，商品普遍采用电子标签,通过一个传感器网络自动更新价格等信息,这种应用如采用集成铁电存储器的MCU方案,就能大大节省功耗并延长设备寿命。统一的存储器也简化了供应链管理,降低采购成本。该新产品首个系列有4/8/16kB三个版本，采用的是16位RISCMCU架构,未来还会推出基于ARM架构的产品系列。与此同时,TI在工具、软件和系统解决方案方面提供全面支持，包括开发板套件、RF产品库、兼容的硬件模块以及设计工具、参考设计及完整的生态系统支持等。 在MCU上集成铁电存储器是存在一定难度的，首先制程工艺上，工艺较旧,而铁电工艺新,这个转移和适应需要很多开发工作;其次铁电本身工艺成熟度也在不断进步中,也存在定的不足,比如铁电高温时(260℃)会丢失数据,在生产时需要特别注意。 |
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