SiC集成功率模块NXH40B120MNQ，高集成度打破传统

碳化硅是现在比较火的一种半导体材料，近几年碳化硅的发展特别快，在很多方面都有应用，渗透在人们生活的方方面面。用碳化硅取代传统的硅材料应用于逆变器，作用更快。能耗越低，效率越高。与此同时，碳化硅在设计方面体积可以更小更轻，对产品的设计创新也有很大的帮助。像安森美半导体最近推出的SiC集成功率模块，就被广泛的应用在太阳能逆变器中，广受好评。

NXH40B120MNQ集成度高，引脚分配针对逆变器设计进行了优化，它的全SiC电源模块有2通道和3通道版本，还有2通道模块NXH80B120MNQ0，集成了一个1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有双升压级的1200 V，40 A SiC升压二极管。SiC技术的使用提供了实现太阳能逆变器等应用中所要求高能效水平所需的低反向恢复和快速开关特性，与此同时，通过使用SiC器件，功率模块可以提供低导通和开关损耗，从而支持使用更高的开关频率，有助于提高逆变能效。此外，这些模块易于使用，可根据客户的喜好，采用无焊压合连接和客户定义的热接口选项。如今，这款适用于太阳能逆变器应用的全SiC功率模块已被全球领先的电源和热管理方案供应商台达选用，用于支持其M70A三相光伏组串逆变器。

除了太阳能逆变器方面的应用外，SiC在功率器件、电子开关器件和各种大功率、高温工作的器件上应用也很广泛，和Si相比，SiC还是有很大优势的。