英飞凌和飞兆半导体达成侵权诉讼和解协议

发布时间:2009-12-30 17:51    发布者:嵌入式公社
关键词: 导体 , 侵权 , 诉讼 , 协议 , 英飞凌
英飞凌科技股份公司2009年12月29日宣布,该公司与飞兆半导体公司之间的专利侵权诉讼已达成和解。2008年11月,英飞凌向美国特拉华州地方法院提起诉讼。本诉和反诉标的包括与超结功率晶体管以及沟槽式功率 MOSFETIGBT功率晶体管有关的14项专利。

通过广泛的半导体技术专利交叉许可,双方就上述诉讼达成和解。根据和解协议,飞兆半导体将向英飞凌支付许可费,但协议的具体条款和条件保密。

英飞凌和飞兆半导体将通知美国特拉华州地方法院,双方已经达成和解,并将申请撤诉。

英飞凌目前正在和多家半导体公司进行专利许可谈判。英飞凌认为,这些谈判对持续保护其知识产权和商业利益至关重要。
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bbw008 发表于 2010-9-16 20:34:54
老外的知识产权保护比较厉害。
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