低功率应用双PQFN2x2 和双PQFN3.3x3.3功率MOSFET（IR）
发布时间：2011-7-19 17:02
发布者：eechina
关键词：
功率MOSFET
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国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其PQFN封装系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封装。新型封装集成了两个采用IR最新硅技术的HEXFET MOSFET，为低功率应用提供高密度、低成本的解决方案，这些应用包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、直流电动机、无线感应充电器、笔记本电脑、服务器、网通设备等。 新款PQFN2x2和PQFN3.3x3.3双器件在每一个封装上都配备了一对功率MOSFET， 提供共汲极和半桥拓扑的灵活性。这些器件利用IR最新的低压硅技术 (N和P) 来实现超低损耗。例如，IRLHS6276在只有4 mm2 的范围内，配备了两个典型导通电阻 (RDS(on)) 均为33mΩ的MOSFET。 
这个双PQFN系列包括专为高侧负荷开关优化的P通道器件，可提供更为简便的驱动解决方案。这些器件的封装厚度不到1 mm，与现有的表面贴装技术相兼容，并且拥有符合行业标准的占位空间，也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。 产品规格
有关产品现正接受批量订单。相关数据和MOSFET产品选型工具请浏览IR 的网站 www.irf.com。 |
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