ST推出9款全新汽车级功率MOSFET

发布时间:2011-5-27 10:03    发布者:eechina
关键词: 功率MOSFET
意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)推出9款全新汽车级功率MOSFET,进一步扩大STripFET VI DeepGATE功率MOSFET产品组合,为新一代汽车实现能效、尺寸及成本优势。

高能效电气系统对于汽车制造商日益重要。从车窗升降机、雨刷器、暖气鼓风机,到引擎控制模块、起动机-交流发电机、能源恢复系统,这些均由电气系统管理,而混合动力汽车则更需要高效的能源管理系统,以最大限度地延长汽车的续航里程。意法半导体的新款功率MOSFET能够将电气系统驱动器和控制器的正常功耗降至最低,从而提升电气系统的能效;同时还可减少电路产生的热量,实现更小、更轻的装置设备。

全新符合AEC-Q101的30V和40V功率器件采用意法半导体先进的STripFET VI DeepGATE技术,拥有极低的导通功耗与有效芯片尺寸比。这两款产品拥有3.0 mΩ至12.5 mΩ的低导通功耗,采用工业标准DPAK或D2PAK两种贴装功率封装,占用更小的电路板空间。全新功率MOSFETS系列包括逻辑电平和标准电平两款型号。

40V-ST.jpg

为保证新产品达到汽车应用要求的可靠性和稳健性,按照AEC-Q101标准认证的测试条件,所有器件在晶圆制程和成品阶段均经过100%雪崩测试。除汽车设备以外,新系列产品还可提高其它应用的电源和驱动器的能效。

主要特性:
•    30V和40V击穿电压
•    额定输出电流 44A至80A
•    标准阀压驱动
•    逻辑电平控制
•    -55°C至175°C 工作温度范围
•    通过AEC-Q101认证

9款新产品均已量产。

详情请访问意法半导体公司网站:www.st.com/pmos
本文地址:https://www.eechina.com/thread-67017-1-1.html     【打印本页】

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