ST推出高集成度移动通信基站芯片STW82100B 实现降频变频器与频率合成器二合一
发布时间：2011-5-6 15:59
发布者：eechina
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意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出新款高集成度移动通信基站芯片。全新STW82100B系列让移动基础设施设备制造商能够以更低的成本满足市场对更灵活且紧凑的下一代移动网络基站的需求。除无线基站外，新产品还能用于其它设备，包括射频（RF）仪器和一般无线基础设施应用。 在移动通信产业内，消费者对宽带网络服务的需求正在高速增长。移动网络运营商正在加快脚步推出具备更快数据速率（14.4Mbit/s或更高，HSPA/HSPA+）的网络服务。市场对具备更高速度的下一代无线通信标准3GPP-LTE 的投资也持续增长。市调机构Infonetics Research的最新报告显示，截至2014年底，LTE（长期演进技术）基础设施的市场规模将超过110亿美元。 意法半导体的全新STW82100B系列符合设备厂商的高性能和低成本的要求，单片整合了射频合成器与降频转换器等重要的移动通信基站功能。经市场验证，这款IC适用于新的移动通信标准，如LTE（长期演进技术）。采用意法半导体的高质量BiCMOS制程，新IC还能满足移动通信基站厂商全部的重要性能需求。意法半导体这款以先进制程制造的芯片已被主要基站厂商广泛采用。 
STW82100B系列（STW82100B, STW82101B, STW82102B及STW82103B）以意法半导体经过市场验证并被全球基站及其它无线应用广泛采用的射频合成器IC（STW81102系列）为基础。可支持不同的工作模式，为设计人员带来很高的灵活性。在接收器端，该芯片可为每个天线通道提供一个专用的本振（LO）频率发生器，或可用于更加传统的天线分集系统。在发送器环回电路内，其优异的增益平坦度和内置的10位数模转换器（DAC）让设计人员在驱动外部PIN二极管时可实现最佳的信号校准。 STW82100B的主要特性： • 高输入线性 • 8dB转换增益 • 10.5dB噪声系数 • 有效避免干扰及假性信号 STW82100B现已量产，采用7 x 7mm VQFPN 封装，意法半导体近期将推出应用评估套件。 |
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