SDRAM内存条时序特点
发布时间：2020-10-30 16:25
发布者：宇芯电子
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SDRAM存储器读写速度较高，其单位容量的功耗较低，广泛应用在许多工程项目中，特别在雷达、图像处理等需要高速度、大容量的数据存储领域，SDRAM存储器有着广泛的应用价值。而单片SDRAM存储器一般是直接焊接在电路板上，而且引脚较多、一旦遇上SDRAM存储器工作故障，更换芯片比较麻烦，并且当需要扩充容量时修改电路也不方便。计算机上广泛应用的内存条具有速度高、容量大、接口标准、扩展方便等优点。在大容量,高速数据存储的领域,应用SDRAM内存条代替一般的单片SDRAM存储器，给实际电路的更改和存储容量的扩展带来了极大的方便。本篇文章宇芯电子存储芯片供应商主要介绍关于SDRAM内存条时序特点。 SDRAM内存条时序特点 SDRAM内存条的工作模式对时序要求严格，只有上电逻辑和模式设置正确才能进入相应的工作模式。访问特定逻辑单元必须先激活相应的存储块(BANK)，并锁定对应行、列地址。另外必须有定时的刷新逻辑保持数据不丢失。SDRAM内存条的控制由一些专用控制引脚和地址线辅助完成CS/RASICAS/WR在时钟上升沿的状态决定具体操作动作，地址线和BANK选择控制线在部分操作动作中作为辅助参数输入。 1.1 上电逻辑和模式设置 SDRAM内存条所有电源引脚必须同时加电，并且所有输入和电源引脚上电电压不得超过标称值0.3V。加电完成后应立即对所有BANK进行预充电，然后等待20Ous以避免输出总线上的数据冲突，等待期间要求DQM和CKE保持高电平。等待20Ous以后需要发出模式寄存器设置(MRS)命令以初始化模式寄存器，并附加八个自动刷新周期(CBR)以保证后续操作正常。模式寄存器设置命令使用地线和BANK选择作为模式数据输入线。其中AA,Ao为BURST长度，A为寻址模式，AAsA编码为CL值，A为写模式。模式寄存器的设置值必须与器件的延迟参数以及与读写操作的控制时序--致,否则将导致错误或不可靠的读写。 1.2存储单元访问 SDRAM内存条采用地址线复用而减少I/O引脚数量。BANK激活周期锁定行地址，读写操作命令发出时，锁定列地址。任意读写操作前都必须有BANK激活命令，BANK激活命令激活相应BANK并锁存行地址，BANK激活命令到后续读写的延迟必须不小于tRCD。同时一旦BANK被激活后只有执行一次预充命令后才能再次激活同一BANK。两次激活的间隔不小于tRC。每次激活后BANK保持激活状态的最长时间由指标tRAS(max)决定。 1.3刷新逻辑和预充 SDRAM内存条的存储单元相当于一-个电容，必须有定时的刷新周期以避免数据丢失，刷新控制器决定刷新的时间间隔，刷新计数器保证每个单元都能被刷新。当然这意味着SDRAM内存条的部分周期必须分配给刷新操作而降低系统性能，SDRAM内存条可以采用自动刷新或自刷新，自动刷新实现较为简单而自刷新功耗更小。预充对BANK 预充电或者关闭已激活的BANK，当CS、RAS和WE为低而CAS为高时为预充命令，SDRAM内存条既可分别预充特定BANK也可同时作用于所有BANK，A10、BS0和BS1用于选择BANK。 |
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