Dialog将非易失性电阻式RAM技术授权与格芯22FDX平台，服务IoT和AI应用
发布时间：2020-10-20 10:47
发布者：eechina
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Dialog半导体公司和格芯 (GLOBALFOUNDRIES) 今天联合宣布，已就Dialog向格芯授权导电桥接RAM（CBRAM）技术达成协议。该基于电阻式RAM（ReRAM）的技术由Dialog半导体公司于2020年收购的Adesto Technologies首创。格芯首先将在其22FDX平台上以嵌入式非易失性存储器（NVM）选项提供Dialog的CBRAM，后续计划将该技术拓展到其他平台。 Dialog独有的且经过生产验证的CBRAM技术是一项低功耗的NVM解决方案，专为物联网（IoT）、5G连接、人工智能（AI）等一系列应用而设计。低功耗、高读/写速度、更低的制造成本、对恶劣环境的耐受能力使CBRAM特别适合消费、医疗、和特定的工业及汽车等应用。此外，CBRAM技术为这些市场中的产品所需的先进技术节点提供了具成本效益的嵌入式NVM。 Dialog半导体公司企业发展高级副总裁兼工业混合信号业务部总经理Mark Tyndall表示：“CBRAM是Adesto杰出的标志性存储技术之一，该技术加入到Dialog产品组合中具有重要的战略意义。此次与格芯的授权合作恰好证明了Dialog和Adesto融合后开展业务的速度。展望未来，我对我们和格芯牢固的合作关系非常有信心。此次授权协议不仅为行业提供了最先进的技术，也为Dialog在下一代系统级芯片（SoC）中采用先进CBRAM技术提供了机遇。” 格芯高级副总裁兼汽车、工业和多市场业务部总经理Mike Hogan表示：“我们与Dialog的合作彰显了格芯在为客户进一步提供差异化优势和增值的领域加大投资的承诺。Dialog的ReRAM技术是对我们领先的eNVM解决方案系列非常好的补充。该存储器解决方案结合我们的FDX平台，将帮助我们客户进一步突破技术边界，提供新一代安全的IoT和边缘AI应用。” Dialog的CBRAM技术克服了ReRAM常见的集成和可靠性挑战，提供了可靠且低成本的嵌入式存储器，同时保留了ReRAM的低电压运行能力。这意味着可以实现比标准嵌入式闪存更低功耗的读写操作。 CBRAM将于2022年在22FDX平台上以嵌入式NVM选项供格芯的客户使用。通过IP定制，客户可以修改CBRAM单元以优化其SoC设计，提升安全性，或对单元进行调整以适合新的应用。此外，CBRAM作为一种“后道工序”技术，可以相对容易地集成到其他技术节点中。 了解更多有关Dialog CBRAM技术，敬请浏览网页：https://www.dialog-semiconductor ... ry/cbram-technology 了解更多有关格芯22FDX平台，敬请浏览网页：https://www.globalfoundries.com/ ... ions/cmos/fdx/22fdx |
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