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[供应] SL407 低内阻P沟道MOS管 -60V-15A 优势替代ADO407

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发表于 2020-6-11 17:13:23 | 显示全部楼层 |阅读模式
关键词: SL407 , 替代AOD407 , 60V15A MOS管
深圳聚能芯半导体专业中低压MOS管,经验丰富,实力雄厚,技术支持。是您值得信赖合作的实力中低压MOS场效应管供应商。
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SL407 低内阻P沟道MOS管 -60V-15A 优势替代ADO407
sl407.pdf (878.04 KB)


【场效应管的作用】
1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
sl407.png SL407 2.png
SL4842  30V8A     19毫欧 SOP-8封装 N沟道    优势替代AO4842
SL4354   30V20A      4.4毫欧   SOP-8封装    N沟道      优势替代AO4354
SL4406   30V13A       7毫欧     SOP-8封装    N沟道      优势替代AO4406A
SL4410   30V20A       6毫欧     SOP-8封装    N沟道      优势替代AO4410
SL4430   30V18A      4.5毫欧   SOP-8封装    N沟道      优势替代AO4430
SL4468   30V12A      10毫欧   SOP-8封装    N沟道      优势 替代AO4468
SL6800   30V3.4A      60毫欧   SOT23-6封装   N沟道      优势替代AO6800
SL4822  30V8A   19毫欧 SOP-8封装 N沟道双管     优势替代AO4822
SL4828  60V3.2A  30毫欧 SOP-8封装 N沟道双管      优势替代AO4828
SL9926B  20V8A  15毫欧 SOP-8封装  双管      优势替代AO9926B
SL8820   20V7A   16毫欧 TSSOP-8封装  双管    优势替代AO8820
SL8822   20V7A   17毫欧 TSSOP-8封装     优势替代AO8822
SL4407   -30A-13A  11毫欧 SOP-8封装    优势替代AO4407
SL4411  -30V-9A  24毫欧 SOP-8封装     优势替代AO4411
SL4435  -30V-10A  15毫欧SOP-8封装    优势 替代AO4435
SL407        -60V-15A   TO-252封装     P沟道     优势替代AOD407
SL409        -60V26A     TO-252封装    P沟道     优势替代AOD409
SL4294     100V12A   SOP8封装      N沟道     优势替代AO4294
SL4480  40V12.5A  SOP8封装 N沟道     优势替代AO4480
SL4184  40V60A   9毫欧 TO-252封装      优势替代AO4184
SL444   60V12A   34毫欧 TO-252封装    优势替代AOD444
SL4264    60V10A  SOP-8封装 N沟道     优势替代AO4264

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