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富士通开发的超小型封装串行FRAM

发布时间:2020-4-8 14:10    发布者:英尚微电子
关键词: 串行FRAM , 富士通FRAM , 超小型封装FRAM , MB85RS1MT , 1Mbit串行FRAM
富士通是一家通过不断创新全球化信息通信技术的公司。众多的标志性成果和产品里程碑将富士通塑造成为现在这样一家在ICT领域领先的公司。富士通为广大用户开发了众多的优质产品。还开发出业界中具有超小型封装尺寸的1Mbit 串行FRAM——MB85RS1MT,MB85RS1MT是131,072字x 8位FRAM(铁电随机存取存储器),使用铁电工艺形成非易失性存储单元,并采用硅栅CMOS工艺,采用串行外围设备接口(SPI)。可以保留数据,而无需使用数据备份电池,例如SRAM。使用的存储单元可以执行1013次写/读操作,大大超过了闪存或E2PROM可以重写的次数。不需要像闪存和E2PROM这样的长写入时间,并且写入等待时间为零。 因此,无需等待写入完成序列。




MB85RS1MT是一款有8引脚晶圆级芯片尺寸封装(WL-CSP)的产品,与传统业界标准SOP封装相比,此款WL-CSP大约为SOP的23%,能够减少约77%的安装面积。而且本WL-CSP的厚度为0.33mm,约是信用卡的一半,从安装体积比来看,能够减少大约95%的体积。 是富士通半导体提供的最大密度容量的串口FRAM。


另外与同为非易失性存储器的通用EEPROM相比,MB85RS1MT的写入时间较短,从而能够大幅降低写入时的功耗。




写入时的功耗对比


因此将该FRAM引入需要频繁实时记录原始数据的可穿戴设备,将有利于延长电池的使用寿命或实现电池的小型化。
本文地址:https://www.eechina.com/thread-583317-1-1.html     【打印本页】

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英尚微电子 发表于 2020-4-8 14:11:31
可以保留数据,而无需使用数据备份电池,例如SRAM。使用的存储单元可以执行1013次写/读操作,大大超过了闪存或E2PROM可以重写的次数
英尚微电子 发表于 2020-4-8 14:12:17
不需要像闪存和E2PROM这样的长写入时间,并且写入等待时间为零。 因此,无需等待写入完成序列。
英尚微电子 发表于 2020-4-15 13:39:13
FRAM引入需要频繁实时记录原始数据的可穿戴设备,将有利于延长电池的使用寿命或实现电池的小型化。
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