新型MRAM技术量产实现低功耗
发布时间：2020-4-7 15:06
发布者：英尚微电子
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在新型 RAM 技术中，MRAM 对物联网和边缘计算设备具有特别有吸引力。因为它能实现比目前这类硬件上的首选存储类内存 -NAND闪存-低得多的功耗，同时实现非易失性数据存储。非易失性MRAM 本身访问速度也相当快，这便意味着不仅可以用它取代这类硬件设备上的闪存，还可以替换掉大部分 SRAM，从而进一步节约成本。 和 MRAM 的目标市场不同的是，ReRAM 和 PCRAM 更有可能出现在数据中心服务器中，这两种器件是存储级内存的理想选择。SCM 提供的一种比 NAND 产品快得多并且比 DARM 更加便宜的中间存储器层。英特尔的3D XPoint Optane Persistent Memory 产品似乎使用某种相变技术，是 PCRAM 技术的早期应用实例。 在 MRAM 这个赛道中，三星已于去年的三月份发售了首款 MRAM 产品，还有Everspin该家 MRAM 提供商的产品被 IBM 用作高容量（19TB）SSD 的缓存。EVERSPIN其MRAM产品得到了 Sage 微电子用于企业级 SSD 的闪存控制器的支持。作为Everspin的核心代理商英尚微电子已给各行业领域提供了大量优质可靠的MRAM产品。全球最大的半导体设备制造商，应用材料公司是许多业界顶级代工厂的主要供应商，应用材料公司为大批量生产 MRAM、PCRAM 和 ReRAM 而设计的新系统，目的是帮助使得基于这些新型技术的器件更加可靠和经济高效。 各种新型应用带来的数据爆炸导致数据访问性能和计算性能的失衡不断增长，从而推动了许多新型随机存取存储器（RAM）技术的发展。最近在新型 RAM 技术领域的进展能否开启新型 ram 市场的腾飞还有待进一步观察。当然如果应用材料公司制造新 RAM 的系统取得了成功，也就理所当然地意味着市场上将出现更多使用了这些替代性的新型 RAM 器件的设备，同时也可能会出现一些新的存储器供应商。 |
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