制造商Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类射频(RF)双极晶体管
RoHS符合
晶体管类型Bipolar Power
技术Si
晶体管极性NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min30
集电极—发射极最大电压 VCEO16 V
发射极 - 基极电压 VEBO3 V
集电极连续电流150 mA
最小工作温度- 65 C
最大工作温度+ 150 C
配置Single
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体M238
封装Tray
工作频率870 MHz
类型RF Bipolar Power
商标Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散2 W
产品类型RF Bipolar Transistors
工厂包装数量1
子类别Transistors
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