MOS管工作原理，就是这么简单
发布时间：2019-10-31 15:37
发布者：xunavc
|
1. MOS管工作原理--MOS管简介 MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。 2. MOS管工作原理--Mos管的结构特点 MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。 其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。 3. MOS管工作原理--MOS管的特性 3.1MOS管的输入、输出特性 对于共源极接法的电路，源极和衬底之间被二氧化硅绝缘层隔离，所以栅极电流为0。 4. MOS管工作原理 MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。 MOS管的分类 按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种;按导电方式：MOS管又分耗尽型与增强型，所以MOS场效应晶体管分为N沟耗尽型和增强型  沟耗尽型和增强型四大类：N沟道消耗型、N沟道增强型、P沟道消耗型、 P沟道增强型。MOS管应用 MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。而且由MOS管构成的CMOS传感器为相机提供了越来越高的画质，成就了更多的“摄影家”。 MOS管工作原理—参考资料 1、MOS管的开关损耗-反激式分析 描述：利用反激式分析MOS管的开关损耗 2、MOSFET的工作原理 描述：功率MOSFET的结构和工作原理 3、MOS、三极管用作开关时的区别联系 描述：MOS管、三极管用作开关时的区别联系 BSC080P03LS-G www.dzsc.com/ic-detail/9_10401.html的参数 制造商零件编号：BSC080P03LS G 制造商：Infineon Technologies 描述：MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8 系列：OptiMOS FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：30V 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：16A（Ta），30A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8 毫欧 @ 30A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：122.4nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6140pF @ 15V功率 - 最大值：89W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-PowerTDFN 供应商器件封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15） 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 16 A Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 25 V 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 2.5 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 高度: 1.27 mm 长度: 5.9 mm 系列: OptiMOS P 晶体管类型: 1 P-Channel 宽度: 5.15 mm 商标: Infineon Technologies 下降时间: 108 ns 湿度敏感性: Yes 产品类型: MOSFET 上升时间: 87 ns 工厂包装数量: 5000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 79 ns 典型接通延迟时间: 13.5 ns |
网友评论