STP60NF06原装正品IC

电子元器件

　　本功率MOSFET系列产品采用意法半导体独特的STripFET工艺实现专门设计来最小化输入电容和栅极电荷。因此适用于电信行业作为先进的高效隔离DC-DC变换器的主开关和计算机应用程序。它也适用于任何低栅电荷驱动要求的应用。

　　产品型号：STP60NF06
　　商品目录：MOS(场效应管)
　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：60A
　　漏源电压（Vdss）：60V
　　栅源极阈值电压：4V@250uA
　　漏源导通电阻：16mΩ@30A,10V
　　类型：N沟道
　　最大功率耗散（Ta）：110W

　　STP60NF06特性：
　　FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
　　FET功能：标准
　　漏源极电压（Vdss）：60V
　　电流-连续漏极（Id）（25°C时）：60A（Tc）
　　不同Id，Vgs时的?RdsOn（最大值）：16毫欧@30A，10V
　　不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V@250μA
　　不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：73nC@10V
　　不同Vds时的输入电容（Ciss）：1660pF@25V
　　功率-最大值：110W
　　工作温度：-55°C~175°C（TJ）
　　安装类型：通孔
　　封装/外壳：TO-220-3
　　供应商器件封装：TO-220AB

　　产品封装：