AO4618那些事儿

Cinderella0922

AO4618那些事儿

一般说明
       AO4618采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这种互补的N和P沟道MOSFET配置是低输入电压逆变器应用的理想选择。

产品摘要
N-ChannelP-Channel
VDS=40V40V
ID=8A(VGS=10V)-7A(VGS=-10V)
RDS(ON) RDS(ON)
<19m (VGS=10V)<23m (VGS=-10V)
<27m (VGS=4.5V)<30m (VGS=-4.5V)
100% UIS Tested 100% UIS Tested
100% RgTested 100% Rg Tested

规格参数
描述：MOSFET N/P-CH 40V 8A/7A 8SOIC
类别：分离式半导体产品
系列：-
FET特点：逻辑电平门
电流-连续漏极（ld）@25°C：8A，7A
Id 时的Vgs（th）（最大）：2.4V@250uA
输入电容（Ciss）@Vds：422pF@20V
安装类型：表面贴装
供应商设备封装：8-SOIC
家庭：FET-阵列
FET型：N和P沟道
漏极至源极电压（Vdss）：40V
开态Rds（最大）@Id，Vgs@25°C：19室欧@8A，10V
闸电荷（Qg）@Vgs：9nC@10V
功率-最大：2W
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
包装：带卷（TR）