UnitedSiC在UF3C “FAST” FET产品系列中 新增4引脚Kelvin器件
发布时间：2019-6-21 17:30
发布者：eechina
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新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布进一步扩展UF3C FAST产品系列，新增采用TO-247-4L 4引脚Kelvin Sense分立封装选项的1200V高性能SiC FET器件。新产品UF3C120150K4S https://unitedsic.com/datasheets/DS_UF3C120150K4S.pdf) 具有150mΩ的典型导通电阻（RDS（on）），使4引脚FAST系列器件的总数达到6个，并将整个系列的导通电阻范围从30mΩ一直延伸到最高至150mΩ。 
UF3C120150K4S的最高工作温度达175℃，具有出色的反向恢复、低栅极电荷和低固有电容。与标准的3引脚TO-247产品相比，具备ESD保护的HBM 2级TO-247-4L封装可提供更快的开关速度和更清晰的栅极波形。 4引脚Kelvin封装能够避免栅极振铃和误触发，这些通常需要限制开关速度以管理3引脚封装的较大共源电感。UF3C120150K4S器件非常适用于电动汽车（EV）充电、光伏逆变器、开关模式电源、功率因数校正（PFC）模块、电机驱动和感应加热（induction heating）等应用。 UnitedSiC的新型UF3C FAST SiC系列现在共有13种器件，分别采用TO-247-3L和TO-247-4L封装，具有1200V和650V选项。该产品系列基于高效的“共源共栅”配置，能够以高功率密度封装提供非常快速的开关，实现高功率器件解决方案。4端子Kelvin封装可提供简单的螺钉或夹具安装，具有极低的结到壳（junction-to-case）热阻，能够充分利用SiC的高结温能力。 UnitedSiC完整的UJ3C和UF3C SiC FET产品系列的独特之处在于其真正的“直接替代”功能。设计人员可以通过用UnitedSiC FET替代现有的Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超级结器件，并能够显著提高系统性能，而无需改变栅极驱动电压。 欲获取更多的数据手册信息，请访问：https://unitedsic.com/cascodes/。UnitedSiC 还可提供SiC FET用户指南，其中重点介绍使用RC缓冲器和快速开关SiC器件的实用解决方案和应用指南，请访问：https://bit.ly/2wKNLhs。 价格和供货信息 以1000片最小批量计，UF3C120150K4S单价为6.14美元。贸泽电子（Mouser）和其他当地分销商可提供库存。 |
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