NXP MRFX1K80H晶体管在贸泽开售,65V LDMOS技术让射频功率设计提速

发布时间:2017-10-20 18:55    发布者:eechina
关键词: LDMOS , MRFX1K80H
贸泽电子 (Mouser Electronics),即日起开始备货NXP Semiconductors的MRFX1K80H LDMOS 晶体管。MRFX1K80H 是MRFX系列射频 (RF) MOSFET晶体管,此系列器件采用了最新的LDMOS(橫向扩散金属氧化物半导体)技术。MRFX1K80H运用LDMOS技术来提高宽频应用的输出功率,同时维持适当的输出阻抗。

PRINT_NXP-MRFX1K80.jpg

贸泽备货的NXP MRFX1K80H LDMOS晶体管能在65V连续波时提供1800W功率,适用于1.8至470 MHz的射频应用,并且能在所有相角下提供65:1的电压驻波比 (VSWR)。此器件提供50Ω匹配阻抗,可缩短整体开发时间。MRFX1K80H 设计用于30V到65V扩展级电源范围,并具备高击穿电压特性,能增强可靠性,提升效率。这种耐高压特性还可降低系统电流,从而限制直流电源上的应力并减少磁辐射。高输出功率还能减少晶体管数,简化功率放大器复杂度,并降低整体成本。

MRFX1K80H适用于具有适当偏置的线性应用,并提供集成静电放电 (ESD) 防护,改善C类放大器运行性能。MRFX1K80H的目标应用包括工业、科学与医疗 (ISM) 应用以及广播、航空航天与移动无线电设备。

更多有关NXP MRFX1K80H LDMOS晶体管的信息,敬请访问http://www.mouser.com/new/nxp-semiconductors/nxp-mrfx1k80/

本文地址:https://www.eechina.com/thread-518130-1-1.html     【打印本页】

本站部分文章为转载或网友发布,目的在于传递和分享信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责;文章版权归原作者及原出处所有,如涉及作品内容、版权和其它问题,我们将根据著作权人的要求,第一时间更正或删除。
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

厂商推荐

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表