具有业内P沟道器件的最低导通电阻的功率MOSFET SiA427DJ（Vishay）
发布时间：2011-1-24 10:08
发布者：嵌入式公社
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Vishay推出新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。 SiA427DJ在4.5V、1.8V、1.5V和1.2V下分别具有16mΩ、26mΩ、32mΩ和95mΩ的超低导通电阻。最接近的竞争器件是具有8V栅源电压等级的20V P沟道功率MOSFET，在4.5V、1.8V和1.5V栅极驱动下的导通电阻分别为25.8mΩ、41.1mΩ和63.2mΩ，分别比SiA427DJ高36%、37%和47%。与采用标准SC-70封装的典型器件相比，在占用相同PCB面积的情况下，PowerPAK SC 70在相同环境条件下可处理的功率耗散多40%。 SiA427DJ所采用的超小尺寸PowerPAK SC-70封装为小型手持式电子设备进行了优化。新器件可用做手机、智能手机、MP3播放器、数码相机、电子书和平板电脑等便携式设备中的负载开关。 对于这些设备而言，SiA427DJ更低的导通电阻意味着可实现更低的导通损耗，从而延长两次充电之间的电池寿命。器件在1.2V下的低导通电阻非常适合低总线电压。当电源线电压波动时，使用1.2V电源总线的应用也能够享受到MOSFET在1.5V和1.8V下低导通电阻的好处，让SiA427DJ能够发挥最佳的整体节能效果。 
MOSFET经过了100%的Rg测试，符合IEC 61249-2-21的无卤素规定和RoHS指令2002/95/EC。 新款SiA427DJ TrenchFET功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周到十四周。 |
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