三星计划大力推动高-K介质的32nm制程

发布时间：2010-11-12 09:08 发布者：李宽

日前召开的ARM技术大会上，三星电子传出消息，计划大力推动高-K介质的32nm制程。

今年6月，韩国三星表示自己的代工厂已经可以使用高-K/金属栅极技术，满足制造32nm低功耗制程的要求。三星即将成为首家符合高-k/金属栅极技术的代工厂。

据三星半导体公司代工业务部设计实现总裁Kuang-Kuo Lin透露，现在“制程和设计”都已就绪。他还表示，“就代工厂的高-k/金属栅极而言，我们走在前列。”

三星也是IBM公司晶圆俱乐部的成员。据报道，该俱乐部在高-k技术研发方面正面临困难。在简短采访中，Lin否认了这一报道，他说三星目前在高-k方面的努力“进展不错”。

Lin说，实际上三星对该工艺制程“兴趣很大”，代工客户包括苹果、高通和赛灵思。

路线图的下一步是28nm制程。目前，Global Foundries和三星都将在2011年第一季度进入“可量产”阶段。