搜索
热门关键词:
OLED
二极管
Molex
VxWorks
IGBT
手机版
官方微博
微信公众号
登录
|
免费注册
首页
新闻
新品
文章
下载
电路
问答
视频
职场
杂谈
会展
工具
博客
论坛
在线研讨会
技术频道:
单片机/处理器
FPGA
软件/编程
电源技术
模拟电子
PCB设计
测试测量
MEMS
系统设计
无源/分立器件
音频/视频/显示
应用频道:
消费电子
工业/测控
汽车电子
通信/网络
医疗电子
机器人
当前位置:
EEChina首页
›
电工杂谈
›
新闻
英特尔三星东芝联手开发10纳米芯片工艺
发布时间:2010-11-1 10:14 发布者:
李宽
关键词:
10纳米
,
工艺
据国外媒体报道,英特尔、东芝和三星
电子
将联手开发新技术,在2016年前将芯片制造工艺提升到10纳米级别。
据《日经新闻》报道,全球排名前两位的NAND闪存制造商三星电子和东芝将与最大的芯片厂商英特尔结成合作伙伴,并邀请大约10家
半导体
材料及其他领域的企业加入这一联合体。
据称,日本经济产业省有可能提供大约50亿日元(约合6121万美元)作为研发启动资金。参与此项目的各家企业将再提供50亿日元。
东芝和三星电子计划利用新技术制造10纳米级别的NAND闪存及其他芯片,英特尔则希望用它开发更快的微处理器。
本文地址:
https://www.eechina.com/thread-35467-1-1.html
【打印本页】
本站部分文章为转载或网友发布,目的在于传递和分享信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责;文章版权归原作者及原出处所有,如涉及作品内容、版权和其它问题,我们将根据著作权人的要求,第一时间更正或删除。
相关文章
半导体工艺手册(英文版)
浅析影响PCB电镀填孔工艺的因素
光学Sales/FAE
三维工艺设计管理系统助力中国制造业
Process Integration Senior Engineer / Principal Engineer
中国半导体的发展,不能只靠买买买!
详解“工艺制程”:为何20nm芯片更强大
FinFET推动更明智的物理IP选择
集成电路工艺制程介绍
台积电加快16纳米和10纳米制程技术的步伐
网友评论
高级模式
B
Color
Image
Link
Quote
Code
Smilies
您需要登录后才可以发表评论
登录
|
立即注册
发表评论
贸泽电子有奖问答视频,答对领10元微信红包
厂商推荐
Microchip视频专区
Dev Tool Bits——使用MPLAB® Discover浏览资源
Dev Tool Bits——使用条件软件断点宏来节省时间和空间
Dev Tool Bits——使用DVRT协议查看项目中的数据
Dev Tool Bits——使用MPLAB® Data Visualizer进行功率监视
贸泽电子(Mouser)专区
相关视频
国外半导体工艺生产线视频
7362
关于我们
-
服务条款
-
使用指南
-
站点地图
-
友情链接
-
联系我们
电子工程网
© 版权所有
京ICP备16069177号
| 京公网安备11010502021702
快速回复
返回顶部
返回列表
网友评论