低导通电阻的大罐式DirectFET封装MOSFET（IR）
发布时间：2009-8-10 23:27
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国际整流器公司推出IRF6718 DirectFET MOSFET。这款新型25V器件提供业界最低的通态电阻 (RDS(on))，并且使动态ORing、热插拔及电子保险丝等DC开关应用达到最佳效果。 IRF6718在新款大罐式DirectFET封装中融入了IR新一代硅技术，提供极低的通态电阻（在10V Vgs时典型为0.5mΩ），同时比D2PAK的占位面积缩小60%，高度缩小85%。新器件大幅减少了有关旁路元件的传导损耗，从而大大提高整体系统的效率。 此外，IRF6718为电子保险丝及热插拔电路实现了改善的安全工作区（SOA）能力。该器件采用无铅设计，并符合RoHS标准。 IRF6718是IR针对DC开关应用的25V DirectFET系列的衍生产品。IRF6717中罐式和IRF6713小罐式DirecFET也适合DC开关应用，并且在各自的PCB尺寸内提供业界最佳的通态电阻。  产品的基本规格： 器件编号 典型RDS(on) @10V (mΩs) 典型RDS(on) @4.5V (mΩs) VGS (V) ID @ TA=25ºC (A) 封装面积 (mm x mm) 典型RDS(on) @10V x 面积 (mΩ x mm2) IRF6718 0.5 1.0 +/-20 61 7 x 9.1 31.9 IRF6717 0.95 1.6 +/-20 38 4.9 x 6.3 29.3 IRF6713 2.2 3.5 +/-20 22 3.8 x 4.8 40.1 上述器件的数据及应用说明已在IR的网站www.irf.com提供。 IR已开始接受量产订单。 |
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