三星+IBM STT-MRAM取代传统DRAM的节奏
发布时间：2016-7-29 10:38
发布者：eechina
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来源：Digitimes 三星电子(Samsung Electronics)与IBM携手研发出11纳米制程的次世代存储器自旋传输(Spin Transfer Torque)磁性存储器(STT-MRAM)。两家公司也表示，预计在3年内展开MRAM量产，也引起了业界高度的注目。 韩媒指出， STT-MRAM是可望取代传统DRAM、SRAM的新世代存储器技术。与目前的NAND Flash相比，写入速度快上10万倍，而读取速度则是快上接近10倍。由于STT-MRAM只要透过少量电力就可以驱动的非挥发性存储器，不使用时也完全不需要电力。 MRAM的另外一项特征是寿命时间无限。NAND Flash反覆读写后，寿命就会大幅缩短。虽然最近靠着技术的发展，已经延长了NAND Flash的使用寿命，但仍未出现颠覆性的改善技术。 MRAM自2007年亮相，2011年三星电子买下拥有STT-MRAM技术的开发公司Grandis。而SK海力士(SK Hynix)则是与东芝(Toshiba)合作，共同研发MRAM技术。 然而，这样比NAND Flash读写速度还快，又没有寿命问题的MRAM却有一个致命的缺点，那就是50纳米以下的微细制程相当困难，费用又极为庞大。过去这段期间，半导体大厂如英特尔(Intel)、美光(Micron)等虽然积极进行MRAM的研发，但到目前为止，都未能研发出比NAND Flash更高整合度、更低生产价格的MRAM，以致迟迟不能商品化。 在此次三星与IBM共同研发成功研发11纳米MRAM之后，情况将有望大幅转变。用在物联网(IoT)装置感测器、移动装置等领域的机会将会无穷无尽。长期来看，更有望可以取代NAND Flash市场。 另一方面，三星与IBM除了在次世代存储器事业上有合作以外，也传出正在研拟于人工智能(AI)、半导体事业的合作方案。 |
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