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国际固态电路会议ISSCC:三星发表最新的10nm制程技术

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发表于 2015-12-16 14:03:11 | 显示全部楼层 |阅读模式
【路之遥电子网讯】伴随着圣诞节的来临,2016的脚步越来越近,各大芯片厂商的最新研发成果也争先“出炉”。 “国际固态电路会议”作为诸多成果展示会,就更加令人期待。究竟芯片巨头都会有哪些“惊喜”带给用户,在这里我们就先一睹为快。



三星最新的10nm制程技术

三星将提供更多DRAM与快闪记忆体晶片细节,其中最重要的是一款采用10nm FinFET技术制程的128Mbit嵌入式SRAM。根据ISSCC主办单位表示,该元件具有“迄今最小的SRAM位元单元,”高密度(HD)型晶片尺寸约0.040μm,而高电流(HD)晶片版本的尺寸约0.049μm。该设计支援“整合型辅助电路,可分别改善HD与HC位元单元的最小操作电压(Vmin)至130mV与80mV。

The Linley Group微处理器分析师David Kanter表示,“相较于三星0.064μm2的14nm SRAM,10nm晶片版缩小了0.63倍,当然不尽理想;但相较于0.049μm2的英特尔(Intel)14nm SRAM,三星的记忆体单元则缩小了0.82倍,这是三星未在20nm与14nm之间微缩金属规律的结果。”但Kanter预计英特尔的10nm SRAM尺寸应该会更小。

海力士256Gbit/s频宽的DRAM堆叠,

海力士(SK Hynix)将展示256Gbit/s频宽的DRAM堆叠,“可在堆叠的逻辑层……为记忆体核心处理指令解码与偏置产生”,而不像以往设计是在记忆体层进行。此外,它还在负载过重的3D互连上采用较小摆幅讯号传输,以便降低功耗驱动互连。这种高密度的记忆体晶片将有助于实现高性能运算、加速器以及小型绘图卡。

英特尔DNA测序晶片。

英特尔与加州大学研究人员将共同发表一款经概念验证的DNA测序晶片。这款32nm的晶片在CMOS读取电路上整合了8,192画素的奈米裂隙(nanogap)转换器阵列,从而为DNA测序创造一种电化学生物感测技术,同时还能具有高讯号杂讯比(SNR)。“现有的DNA测序解决方案通常不是使用难以微缩的光学感应技术,就是SNR低的分子感测方式,如今这种新途径可望为整合于电子产品应用的更小尺寸、更低成本DNA测序铺路。”

除以上几大厂商之外,联发、台积电,以及各大研究机构都有最新成果展示,其中包括指纹辨识、视觉处理器以及更高密度记忆体等技术。因而2016 ISSCC值得期待。
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