美光新型存储器要替代NOR快闪存储器
发布时间：2015-11-5 10:13
发布者：eechina
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是时候该跟平凡无奇的NOR快闪存储器说再见了？美光科技（Micron）最近发表最新XTRMFlash系列产品，号称速度可达到3.2Gb/s，而且与目前市面上的串列式NOR快闪存储器接脚相容。 美光嵌入式业务部门NOR快闪存储器产品总监Richard De Caro表示：“并列式快闪存储器的时代已经结束了，美光新推出的XTRMFlash将可在接下来取代目前市面上的并列式与串列式存储器──也许除了一些 低密度应用。”美光将为新产品推出容量从128Mb~2Gb的产品，目前第一波512Mb的产品已可提供样品。 美光已经取得了包括飞思卡 尔半导体（Freescale）在内数家大型晶片供应商的背书；XTRMFlash新产品的问世也正与研究机构Databeans最新预测相符──该机构 预期，车用半导体营收规模将由今年的285亿美元扩展至2020年的400亿美元，其中有大部分应用是取决于NOR快闪存储器，包括GPS、卫星无线电、 车辆对车辆通讯以及车用资通讯娱乐系统。 根据De Caro的说法，XTRMFlash的性能超越并列式、串列式以及Quad-SPI等类NOR快闪存储器，其接脚数比目前的并列式NOR快闪存储器减少 75%；此外该技术的随机存取时间最快83奈秒（nanoseconds）、循序位元组读取（sequential byte read）最快2.5奈秒，传输速度400MB/s （高于并列与串列快闪存储器）。 XTRMFlash也能与目前串列式快闪存储器采用 的Quad SPI接脚相容，只需小幅改变电路板设计就能达到上述的性能规格。美光表示最近已经在一些热门的汽车、工业与消费性领域“永不关机”应用，测试其 XTRMFlash存储器，能为人机介面、图形式使用者介面（GUI）、仪器仪表、车用资通讯系统与先进驾驶人辅助系统（ADAS）带来及时性的成功。 来源：eettaiwan |
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