中芯国际推出差异化的0.13微米低功耗嵌入式工艺
发布时间：2013-10-16 09:47
发布者：eechina
关键词：
中芯国际
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中芯国际集成电路制造有限公司0.13微米低功耗（LL）的嵌入式闪存（eFlash）工艺已正式进入量产。该技术是中芯国际NVM非挥发性记忆体平台的延续，为客户提供了一个高性能、低功耗和低成本的差异化解决方案。 中芯国际的0.13微米嵌入式闪存技术平台可为客户提供以下优势： •强耐度：具备高达300K周期的优秀的循环擦写能力，达到业界标准的三倍； •极具成本效益：制程创新，使用较少的工艺步骤； •低漏电工艺适合极低功耗的应用并提升性能及可靠性：后段采用铜制程（Cu-BEoL）适合需要高电流密度的应用。 中芯国际的0.13微米低功耗嵌入式闪存技术拥有全面的IP，包括如PLL 、ADC 、LDO、USB等，同时融合了该技术低功耗、 高性能和高可靠性的特点，可适用于具有低功耗需求的广泛的微控制器（MCU）应用包括移动设备、智能卡等。此外，中芯国际预期将提供RF、汽车电子、物联网（IoT）方面的应用。 "我们为客户对我们0.13微米差异化的嵌入式闪存技术的快速接受和积极反响感到鼓舞。"中芯国际市场营销和销售执行副总裁麦克瑞库表示，"我们很高兴地看到0.13微米嵌入式闪存技术在触摸控制器（TCIC, Touch Controller IC）上的应用已进入量产。根据IHS-iSuppli市场调查显示，触摸控制器的全球需求量将从 2012年起实现21%的年复合增长率，2017年将达到约 27 亿个单元。" |
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