东芝扩充碳化硅肖特基势垒二极管系列，新增10A产品
发布时间：2013-9-24 10:11
发布者：eechina
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东芝公司（Toshiba Corporation）将扩充其650V碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）系列，为其现有的6A、8A和12A产品阵容中增添一款10A产品。该产品将于即日起批量交付。 SBD适用于多种应用，包括光伏发电系统的功率调节器。它们还可替代开关电源中的硅二极管，可省电50%（东芝数据）。 即便以大电压与大电流工作，SiC电源设备都会比现有的硅设备工作起来更稳定，因为它们可大幅减少工作期间的热损耗。它们可满足业界对尺寸更小、效率更高的通信设备的多元化需求，其工业应用从服务器到反相器，一应俱全。 新产品 产品型号 电气规格 封装 VRRM IF VF （V） IRRM （μA） （V） （A） 标准值/最大值 标准值/最大值 TRS10E65C 650 10 1.5 / 1.7 0.42 / 90 TO-220 （2引脚） 当前产品阵容 产品型号 电气规格 封装 VRRM IF VF （V） IRRM （μA） （V） （A） 标准值/最大值 标准值/最大值 TRS6E65C 650 6 1.5 / 1.7 0.3 / 90 TO-220 （2引脚） TRS8E65C 650 8 1.5 / 1.7 0.4 / 90 TRS12E65C 650 12 1.54 / 1.7 0.45 / 90 通过以下链接了解该产品更多信息： http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/diode/sic/index.html 客户问询： 电源设备销售与营销部 电话：+81-3-3457-3416 |
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