超紧凑、薄型封装的高性能MOSFET（飞兆）
发布时间：2010-5-7 14:31
发布者：嵌入式公社
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飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为满足便携产品设计人员不断寻求效率更高、外形更小更薄的解决方案的需求，推出采用超紧凑、薄型(1.6mm x 1.6mm x 0.55mm)封装的高性能MicroFET MOSFET产品系列。 设计人员使用这一行业领先的产品系列，能够挑选最适合其应用和设计需求的MicroFET MOSFET产品。新的产品系列备有数种常用的拓扑选择，包括单P沟道和肖特基二极管组合，单N沟道和肖特基二极管组合、双P沟道、双N沟道、互补对(complementary pair)、单N沟道和单P沟道器件。 
这些MicroFET MOSFET采用飞兆半导体性能先进的PowerTrench MOSFET工艺技术，能够实现非常低的RDS(ON)、总体栅极电荷(QG) 和米勒电荷(QGD)，从而获得出色的传导和开关性能及热效率。相比传统的MOSFET封装，其先进的MicroFET封装提供了出色的功耗和传导损耗特性。 飞兆半导体提供业界最广泛的具有增强热性能的超紧凑薄型1.6mm x 1.6mm 和2mm x 2mm MicroFET器件。这些易于使用、节省空间的高性能MOSFET是便携应用的理想选择。
供货：现提供样品。交货期：收到订单后12周 产品的 PDF 格式数据表可从此网址获取： http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME1023PZT.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME1034CZT.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDFME2P823ZT.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDFME3N311ZT.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME1024NZT.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME410NZT.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME510PZT.pdf |
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