台积电跳过22纳米直接开发20纳米工艺
发布时间：2010-4-14 16:29
发布者：老郭
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据台湾媒体报道，台积电宣布将跳过22纳米，直接发展20纳米制程。台积电表示，这是基于“为客户创造价值”而作的决定，提供客户一个更可行的先进制程选择，预计于2012下半年导入生产。 台积电在加州圣荷西市举行的技术研讨会，有1500位客户及合作厂商代表参与。台积电研发资深副总蒋尚义在会中表示，台积电20纳米制程将比22纳米制程拥有更优异的闸密度，以及芯片效能／成本比，为先进技术芯片的设计人员提供了一个可靠、更具竞争优势的制程平台。 蒋尚义同时指出，20纳米制程预计于2012年下半开始导入生产。 台积电指出，其20纳米制程，系在平面晶体管结构制程的基础上，采用强化的高介电值/金属闸、创新的应变硅晶与低电阻／超低介电值铜导线等技术。同时，在其它晶体管结构制程方面，例如鳍式场效晶体管及高迁移率组件，也展现了刷新记录的可行性指针结果。 从技术层面来看，由于具备了创新微影技术，以及必要的布局设计能力，台积电因此决定直接导入20纳米制程。 此外，蒋尚义指出，先进制程技术的开发已面临关键时刻，必须主动积极地考虑其投资报酬率，并且需要跳脱单单考虑技术层面的思维模式；必须透过与客户密切合作，以及在资源整合与最佳化方面的创新，同时解决来自技术及经济层面的挑战。 |
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